The invention discloses a method for manufacturing a composite cover layer, comprising a providing substrate and forming a composite covering layer on the surface of the substrate. The composite cover layer comprises at least a first covering layer and a second covering layer formed thereon. In the composite cover forming a patterned layer on the surface of a metal hard mask layer, and etching process, through the patterned metal hard mask layer etching of the composite layer, at least one opening is formed in the second layer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种复合覆盖层及其制作方法，尤指一种用于镶嵌内连线工艺的复合覆盖层及其制作方法。
技术介绍
镶嵌内连线技术是目前集成电路内多重金属内连线 (multi-levelinterconnects)的主要技术，也可说是目前半导体工业中铜导线的主要制作方式，其可概分为单镶嵌(single damascene)工艺以及双镶嵌(dual damascene)工艺。其中双镶嵌工艺因可减少工艺步骤、降低导线与插塞间的接触电阻、增进可靠性等优点，而被大幅采用于镶嵌内连线技术中。此外，为降低金属内连线的电阻值以及寄生电容效应，以增加信号传递速度，现行的双镶嵌工艺大多是在低介电(Iow-K)材料所构成的介电层中蚀刻出具有沟槽(trench)与引线孔(via)的双镶嵌图案，再填入铜金属并加以平坦化，进而完成金属内连线的制作。依在介电层中蚀刻图案的方式来区分，双镶嵌工艺又可再细分为沟槽优先(trench-first)工艺、引线孔优先(via-first)、部分引线孔优先 (partial-via-first)工艺、以及自行对准(self-aligned)工艺等。请参阅图1至图5，图1...
【技术保护点】
１．一种复合覆盖层的制作方法，包含有以下步骤：提供基底，该基底至少包含有导电层、底层以及介电层；在该基底表面形成复合覆盖层，且该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于该第一覆盖层上的第二覆盖层；在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层；以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，且在该第二覆盖层中形成至少一开口。
【技术特征摘要】
1.一种复合覆盖层的制作方法，包含有以下步骤提供基底，该基底至少包含有导电层、底层以及介电层；在该基底表面形成复合覆盖层，且该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于该第一覆盖层上的第二覆盖层；在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层；以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，且在该第二覆盖层中形成至少一开口。2.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包含有超低介电材料。3.如权利要求2所述的方法，其中该介电层具有张应力，且该张应力为30至80MPa。4.如权利要求1所述的方法，其中该第一覆盖层与该第二覆盖层分别为利用沉积工艺所形成的四乙基氧硅烷层。5.如权利要求4所述的方法，其中该沉积工艺包含有等离子体增强化学气相沉积工艺、次大气压化学气相沉积工艺、或低压气相沉积。6.如权利要求4所述的方法，其中形成该第一覆盖层与该第二覆盖层的该沉积工艺利用同位方式进行。7.如权利要求4所述的方法，其中该第一覆盖层为张应力四乙基氧硅烷层，而该第二覆盖层为气密四乙基氧硅烷层。8.如权利要求7所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层厚于该气密四乙基氧硅烷层。9.如权利要求7所述的方法，其中形成该张应力四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为750至850瓦特，低频无线电波功率为100至200瓦特。10.如权利要求7所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为230至330瓦特，低频无线电波功率为10至100瓦特。11.如权利要求7所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层包含有50至IOOMPa的张应力，而该气密四乙基氧硅烷层包含有-150至-300MPa的压应力。12.如权利要求4所述的方法，其中该第一覆盖层为气密四乙基氧硅烷层，而该第二覆盖层为张应力四乙基氧硅烷层。13.如权利要求12所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层厚于该气密四乙基氧硅焼层。14.如权利要求12所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为230至330瓦特，低频无线电波功率为10至100瓦特。15.如权利要求12所述的方法，其中形成该张应力四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为750至850瓦特，低频无线电波功率为100至200瓦特。16.如权利要求12所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层具有为50至IOOMPa的张应力，而该气密四乙基氧硅烷层具有为-150至-300MPa的压应力。17.如权利要求12所述的方法，其中该复合覆盖层还包含有第三覆盖层。18.如权利要求17所述的方法，其中该第三覆盖层为利用沉积工艺形成于该第二覆盖层上的气密四乙基氧硅烷层。19.如权利要求18所述的方法，其中该沉积工艺包含有等离子体增强化学气相沉积工艺、次大气压化学气相沉积工艺、或低压气相沉积所形成的气密四乙基氧硅烷层。20.如权利要求18所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层包含有-150 至-300MPa的压应力。21.如权利要求18所述的方法，其中该形成该第一覆盖层、该第二覆盖层、与该第三覆盖层的该沉积工艺利用同位方式进行。22.如权利要求18所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈韦志，宋述仁，许丰裕，黄俊杰，陈美玲，邱建智，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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