The invention provides a solar battery structure and manufacture method thereof, comprising: a substrate with a front surface and a back surface; an emitter layer is arranged on the front surface; a first anti reflective coating covered on the emitter layer; a plurality of front contacts, the first exposure to anti reflection the outer coating on the surface and extends to the emission layer, wherein the front contact to the substrate diffusion and the formation of metal silicide; a back surface field layer, arranged on the back surface; a second anti reflective coating layer is covered on the back surface field layer; and a plurality of back contacts exposed to second anti reflective coatings abroad and extends to the back surface field under the surface layer. The key to forming the structure is to diffuse the aluminum slurry into the substrate and to form a metal silicide underneath the area where the front contacts are located. The advantage of the invention is that the performance of the solar cell can be greatly improved without increasing the complexity and high cost of the process.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种电池结构及其制作方法，且特别是有关于一种太阳能电池结 构及其制作方法。
技术介绍
太阳电池的发展方向是低成本、高效率，目前常用的两种太阳能电池结构是选择 性发射极和埋栅电极。选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区； 2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。结合其特征，实现选择性发射极结构的关键便是如何 形成上面所说的两个区域。其制作方法有很多，但总的来说，可以分为双步扩散法和单步扩 散法。双步扩散法是进行两次热扩散而形成该结构。而单步扩散法是在一次热扩散中形成 该结构。这两种扩散法都有很多种操作形式。但由于双步扩散法存在不足，单步扩散法已 逐渐成为制作选择性发射极的主要方法，其具体操作一般都是首先在硅片表面的不同区域 得到不同量的扩散杂质源，由于扩散杂质源的不同将会得到不同的扩散结果，进行热扩散 后就形成高低浓度的掺杂，得到选择性发射极结构。然而，为了形成高掺杂区域，在制程中增加的步骤会使得生产过程更为复杂。具体 来说，选择性发射极的形成包括光成型、激光制图或回蚀技术，这些制程成本高昂、制程控 制难度大且具有成型缺陷...
【技术保护点】
１．一种太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，所述方法包含：提供一基片，并对其表面进行织构化处理；在所述基片前表面扩散出一发射极层；在所述基片后表面扩散出一背表面场层；在所述发射极层上形成一第一抗反射涂层，在所述背表面场层上形成一第二抗反射涂层；在所述第一抗反射涂层上形成多个浆料开口；在所述浆料开口中丝网印刷铝浆料，在所述第二抗反射涂层上丝网印刷银浆料；以及使铝浆料扩散至所述基片内形成金属硅化物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡雁程，陈钰君，陈宗保，邱铭晖，陈人杰，吴振诚，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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