【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、目前，一般的薄膜晶体管通常使用非晶硅半导体作为通道材料。由于非晶硅半导体工艺简单、成本低廉，因此被广泛应用于各种薄膜晶体管中。然而，随着薄膜晶体管工艺技术的不断进步，薄膜晶体管的尺寸也不断缩小。为了缩小薄膜晶体管的尺寸，众多制造商正致力于研发具有更高载子迁移率的半导体材料，其中包括金属氧化物半导体材料。金属氧化物半导体材料具有卓越电子迁移率，能应用于小尺寸的薄膜晶体管中。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置具有稳定的操作电流。
2、本专利技术的至少一实施例提供一种半导体装置，其包括第一源极/漏极、第一隔离结构、第二源极/漏极、第一缓冲层、半导体结构、栅介电层以及栅极。第一隔离结构位于第一源极/漏极上，且具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。第二源极/漏极位于第一隔离结构的顶面上。第一缓冲层覆盖第一通孔的侧壁，且从第二源极/漏极连续地延伸至第一源极/漏极。半导体结构填入第一通孔中，且从第二...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一缓冲层接触该第二源极/漏极的侧壁，并从该第二源极/漏极的该侧壁连续地延伸至该第一源极/漏极的顶面。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该半导体结构还包括：
7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
8.一种半导体装置的制造方法，包括：
9....
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一缓冲层接触该第二源极/漏极的侧壁，并从该第二源极/漏极的该侧壁连续地延伸至该第一源极/漏极的顶面。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：江家维，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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