The invention discloses a method for low cost of crystal silicon solar battery diffusion, atomic percentage of the method uses a single-crystal or polycrystalline furnace growth doping element is 0.1% ~ 6% of the heavily doped monocrystalline silicon or polycrystalline silicon ingot, cut into silicon wafers as diffusion source; then the silicon diffusion source and diffusion the wafer is placed in the diffusion furnace, keep the wafer and to diffusion silicon diffusion source cross section parallel to each other, and touch each other or have a certain distance; finally heating diffusion furnace, the diffusion of doping elements in silicon source in vacuum or nitrogen gas atmosphere diffusion to diffusion silicon. Compared with the prior art, the solid diffusion source in the invention is non-toxic, no pollution, convenient use, high control precision, long service life, after repeated use, the invisible change after a simple cleaning after repeated recycling, therefore, this method can simplify the diffusion of crystal silicon solar cell manufacturing process, improve product quality and reduce manufacturing cost.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，特别是涉及。
技术介绍
晶体硅太阳能电池是一种把光能直接转换成电能的半导体器件，而形成PN结是晶体硅太阳能电池制作最为关键的工艺步骤。扩散掺杂工艺是一种制备半导体PN结的常用方法，是在高温条件下利用特定杂质扩散现象，将杂质原子引入到半导体中，使半导体在特定区域具有某种导电类型和一定电阻率。对于太阳能电池，整个器件的结构和性能基本上由扩散工艺决定，杂质浓度分布的均勻性对产品的性能及成品率有很大影响。按照使用扩散源的不同，扩散方法可以分为液态源扩散、气态源扩散和固态源扩散。液态源扩散是目前各种半导体器件主要采用的扩散方法，优点是设备简单，操作方便， 利于大规模生产，缺点是源温和携源气体会影响杂质蒸汽的含量，重复性和均勻性一般，表面掺杂浓度不能大范围调节。气态源扩散的缺点和液态源扩散类似，并且这两种扩散方法使用的扩散源大多有毒或易燃易爆(例如PH3、AsH3、P0C13和B(CH3O)3)，存在一定的安全隐患。相对于其他两种扩散方法，固态源扩散工艺的重复性和均勻性好，能比较方便的控制表面浓度和PN结深，表面状态良好，扩散层的晶格...
【技术保护点】
１．一种低成本晶体硅太阳能电池的扩散方法，其特征是：该方法包括如下步骤：首先用单晶炉生长重掺杂单晶硅棒或用多晶炉生长重掺杂多晶硅铸锭，该单晶硅棒或多晶硅铸锭中掺杂元素的原子百分比含量为０．１％～６％，将该单晶硅棒或者多晶硅铸锭切割成硅片作为固态扩散源；然后将该扩散源硅片与待扩散硅片放置在扩散炉内，保持扩散源硅片的横截面与待扩散硅片的横截面相互平行，并且相互接触或者有一定间距；最好加热扩散炉，使扩散源硅片中的掺杂元素在真空或氮气氛围保护下扩散到待扩散硅片中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：万青，黄晋，龚骏，李莉，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：97
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