The invention relates to a preparation method of a silicon based nanowire solar cells, silicon, nano alumina nanowires were fabricated by Zinc Oxide and Zinc Oxide / Zinc Oxide / nip/ nano silica alumina or silicon nano nip/ nano silicon nip/ alumina nanowires using solar cells specifically, which belongs to the technical field of solar cell fabrication. The present invention first doped Zinc Oxide in a metal substrate or a transparent conductive film (AZO) nanowires, by using PECVD method in AZO nanowires prepared nano silicon nanowire battery layer, is different from the reported from the inside to the outside by using p-n or pin radial structure, but the formation of nip structure or nipnip laminated structure radial nanowire solar cell; using atomic layer deposition (ALD) technique in P type nanometer silicon layer prepared on alumina (Al2O3) passivation layer; using atomic layer deposition technique for preparing transparent conductive film, electrode contact to improve the performance of nanowires, the invention can effectively improve the conversion efficiency of the solar cell.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池，属于太阳能电池器件制备
技术介绍
能源紧缺、环境破坏使得清洁能源的太阳能电池在全球范围内受到极大的关注， 很多国家政府及民间组织投入了大量人力及财力开发和生产属清洁能源的太阳能电池；一直以来，太阳电池研究的两个任务就是降低成本和提高转化效率，通过各种减反射膜和硅表面织构化技术改进电池的光学性能是提高太阳电池性能的一条重要途径；除此之外，利用各种新型纳米结构，以实现高转换效率、低生产成本的第三代太阳电池。目前基于硅材料的纳米线太阳电池主要开展了以下研究(1)纳米线结构作为减反层(2)轴向和径向p-n结(或p-i-n)纳米线电池(3)单根纳米线电池；文献Ε. C. Granett, P. D. Yang, Silicon nanowires radial p-n junction solar cells, Journal of the American Chemical Society, 2008，130 (...
【技术保护点】
１．一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，其特征在于：利用化学方法在金属衬底或导电玻璃上首先制备氧化锌纳米线，再采用ＰＥＣＶＤ方法在氧化锌纳米线上制备氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，形成ｎｉｐ或ｎｉｐｎｉｐ径向结构，随后利用ＡＬＤ技术制备氧化铝钝化层，利用ＡＬＤ技术制备氧化锌透明导电薄膜，完成纳米线太阳电池的制备。
【技术特征摘要】
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