The invention relates to a method for single crystal is made of silicon produced by using molten particles, the method comprises the following steps: first by induction heating coil to produce molten silicon between the lower part of the first volume of the tube and the cone made of silica in single crystal growth, the tube is closed at the bottom, and around a rotating plate made of silica in the center of the opening, the tube extends below the plate, and the bottom of the first induction heating coil is arranged on the plate; the molten silicon second induction heating coil with the aid provided above the board of the second volume of the lower end of the tube will be melted; to produce for the second volume of the degree of molten silicon channel openings, produce two times the opening of the channel in the second volume of molten silicon is no less than the first volume of molten silicon or volume; and In the case of molten silicon that consumes the first and second volumes, the single crystalline silicon is crystallized on the growing single crystal.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。所述方法 包括借助于第一感应加热线圈，在生长的单晶体与由硅构成的锥形管的下端之间产生 第一体积的熔融硅，所述管在下端被封闭，且围出由硅构成的转动板的中心开口，所述管延 伸到所述板的下方，且所述第一感应加热线圈设置在所述板的下方；借助于设置在所述板的上方的第二感应加热线圈产生第二体积的熔融硅；将所述管的下端熔化到产生用于第二体积的熔融硅的通道开口的程度；以及在消耗第一和第二体积的熔融硅的情况下使单晶体硅在生长的单晶体上结晶。
技术介绍
首先细颈、然后单晶体的锥形延伸区段、最后单晶体的圆柱形区段产生结晶。在所 述方法开始时，结晶所需的熔融硅源自晶种和锥形管的下端，所述锥形管的下端为此目的 被熔化。在该方法的进一步的过程中，结晶所需的熔融硅还通过第二感应加热线圈熔化板 的上侧和管的内壁获得。单晶体结晶所需的硅的主要部分通过第二感应加热线圈熔化传送 到板上的颗粒并作为液体膜通过管传导到达生长的单晶体获得。所述方法与浮区方法(FZ方法)主要不同在于，为了提供单晶体生长所需的熔融 硅的主要部分，熔化的是颗粒、而不是多晶体块，基于此，专用的感应加热线圈(“...
【技术保护点】
１．一种用于通过使用熔融颗粒产生由硅构成的单晶体的方法，所述方法包括：借助于第一感应加热线圈，在生长的单晶体与由硅构成的锥形管的下端之间产生第一体积的熔融硅，所述管在下端被封闭，且围出由硅构成的转动板的中心开口，所述管延伸到所述板的下方，且所述第一感应加热线圈设置在所述板的下方；借助于设置在所述板的上方的第二感应加热线圈产生第二体积的熔融硅；将所述管的下端熔化到产生用于第二体积的熔融硅的通道开口的程度，所述通道开口在第二体积的熔融硅还没有出现或少于第一体积的熔融硅的体积的两倍时产生；以及在消耗第一和第二体积的熔融硅的情况下使单晶体硅在生长的单晶体上结晶。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：W·冯阿蒙，L·阿尔特曼绍夫尔，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE
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