本发明专利技术公开了一种场效应管输入/输出电容的测量电路及其测量方法，包括可调稳压电源、电感L1、被测场效应管、电容C1、电阻R1、电阻R2、开关K1、接线端口J1、J2、J3和电容值测量装置；所述电感L1的一端连接至被测场效应管的漏极JD，电感L1的另一端和被测场效应管的源极JS分别连接在可调稳压电源的输出端上形成电源回路；电阻R1和开关K1串联后并接在被测场效应管的栅极JG和源极JS之间；电容C1与电阻R2串联后并接在被测场效应管的漏极JD和源极JS之间。本发明专利技术可测量场效应管的输入电容和输出电容，方便检测、判定场效应管的品质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及场效应管的测量电路，尤其指一种场效应管输入、输出电容的测量电 路及其测量方法。
技术介绍
场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor)的简称，文献中常直接简 写为FET，其由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件， 具有3个极性，栅极、漏极和源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅等材料的可 以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。FET按照结构可以分为结型FET(JFET Junction FET)和绝缘栅 FET(M0SFET :MetalOxidekmicoductor FET)。按照电学特性，MOSFET 又可 以分为耗尽型(D印letion)与增强型(Enhancement)两类。它们又都可以进一步分为N沟 型(与双极晶体管的NPN型相当)和P沟型(与双极晶体管的PNP型相当)。随着工业的的进步，MOSFET被广泛地应于功率放大、高速电源开关管、电机控制等 用途，在使用时经常遇到FET器件替代、来料品质检验的问题，由于大部份企业、个人无法 测量FET的输入、输出电容，只能检测其耐压、开启电压、导通内阻等参数，所以对FET的输 入、输出电容都是不作检测。为了验证FET的来料品质，验证是否可以替代原合格品FET，都 是把来料FET装入电路，通过实际测试电路是否能正常工作来判定来料品质，这种方法不 直观，同时，为了找到合格的FET，经常需要进行大量的重复的实验。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种场效应管输入/输出电容的测量电路，可测量场效应管 的输入电容和输出电容，方便检测、判定场效应管的品质。本专利技术的另一个目的在于提供利用上述场效应管输入/输出电容的测量电路的 测量方法。本专利技术实现上述目的的技术解决方案是—种场效应管输入、输出电容的测量电路，包括可调稳压电源、电感Li、被测场效 应管、电容Cl、电阻R1、电阻R2、开关K1、接线端口 J1、J2、J3和电容值测量装置；所述电感 Ll的一端连接至被测场效应管的漏极JD，电感Ll的另一端和被测场效应管的源极Js分别 连接在可调稳压电源的输出端上形成电源回路；所述电阻Rl和开关Kl串联后并接在被测 场效应管的栅极Je和源极Js之间；所述电容Cl与电阻R2串联后并接在被测场效应管的漏 极Jd和源极Js之间；所述接线端口 Jl连接至电容Cl和电阻R2之间形成输出电路，接线端 口 J2连接至被测场效应管的栅极Je，接线端口 J3连接至被测场效应管的源极Js，所述电容 值测量装置的测量端子接在其中两个接线端口上测量场效应管的输入或输出电容值。一种上述场效应管输入、输出电容的测量电路的测量方法，包括以下步骤测量场效应管的输出电容时(1)将可调稳压电源调至测量被测场效应管规定的电压值，闭合测量电路中被测场效应管的接口及开关K1，不接入被测场效应管；(2)将电容值测量装置的测量端子接在接线端口 Jl和J3上，从电容值测量装置中 得出测量电路的分布电容值Ctll ；(3)将被测场效应管接入测量电路中的被测场效应管的接口，从电容值测量装置 中得出测量电路的分布电容值Ctl2 ；(4)被测场效应管的输出电容Ctl = C02-C01 ；测量场效应管的输入电容时(a)将可调稳压电源调至测量被测场效应管规定的电压值，断开测量电路中被测 场效应管的接口及开关K1，不接入被测场效应管；(b)将电容值测量装置的测量端子接在接线端口 J2和J3上，从电容值测量装置中 得出测量电路的分布电容值C21 ；(c)闭合测量电路中被测场效应管的接口及开关Kl ；(d)将被测场效应管接入测量电路中的被测场效应管的接口，从电容值测量装置 中得出测量电路的分布电容值C22 ；(e)被测场效应管的输入电容C2 = C21-Q2。在所述步骤2中，可将电容值测量装置的测量端子接在接线端口 Jl和J3上，然后 将电容值测量装置调零；则被测场效应管的输出电容为步骤3直接测得的分布电容值Ctl2 ； 即输出电容Ctl = C02 ；在所述步骤b中，可将电容值测量装置的测量端子接在接线端口 J2和J3上，然后 将电容值测量装置调零，则被测场效应管的输入电容为步骤c直接测得的分布电容值C22 ； 即输入电容Q = C22。与现有技术相比，本专利技术具有以下特点1、本专利技术的测量电路中采用数量不多的元件，利用电感的隔交流特性，可测量FET 的输入、输出电容。2、本专利技术的测量方法简单有效，不许要重复、大量的实验即可控制FET的替代、来 料检测，保证使用FET的最终成品的一致性和品质。附图说明下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明。图1为本专利技术实施例1 (被测为N沟型FET)的电路图；图2为本专利技术实施例2 (被测为P沟型FET)的电路图。具体实施例方式实施例1如图1所示，一种场效应管输入、输出电容的测量电路，由可调稳压电源、电感Li、 被测场效应管、电容Cl、电阻R1、电阻R2、开关K1、接线端口 J1、J2、J3和电容值测量装置组 成；其中，被测场效应管为N沟型场效应管，电容值测试装置可为电容表或RCL电桥。电感Ll的一端连接至被测场效应管的漏极JD，电感Ll的另一端连接至可调稳压 电源的正端，被测场效应管的源极Js连接至可调稳压电源的负端上形成电源回路；电阻Rl和开关Kl串联后并接在被测场效应管的栅极Je和源极Js之间；电容Cl与电阻R2串联后 并接在被测场效应管的漏极Jd和源极Js之间，电容Cl和R2串联后接地。在该测量电路中 设置有被测场效应管的接口 漏极JD端子、源极Js端子、栅极Je，被测场效应管漏极JD、源 极Js、栅极Je分别对应漏极Jd端子、源极Js端子、栅极Je端子，测量时可将场效应管按对应 的电极端子接入测量电路。接线端口 Jl连接至电容Cl和电阻R2之间形成输出电路，接线端口 J2连接至被 测场效应管的栅极Je，接线端口 J3连接至被测场效应管的源极Js，电容值测量装置的测量 端子接在其中两个接线端口上测量场效应管的输入或输出电容值。通过上述的测量电路，场效应管输入、输出电容的测量方法，包括以下步骤测量场效应管的输出电容时(1)将可调稳压电源调至测量被测场效应管规定的电压值，闭合测量电路中被测 场效应管的接口及开关K1，不接入被测场效应管；(2)将电容值测量装置的测量端子接在接线端口 Jl和J3上，从电容值测量装置中 得出测量电路的分布电容值Ctll，或者将电容值测量装置调零；(3)将被测场效应管接入测量电路中的被测场效应管的接口，从电容值测量装置 中得出测量电路的分布电容值Q12 ；(4)被测场效应管的输出电容Ctl = C02-C01 ；测量场效应管的输入电容时(a)将可调稳压电源调至测量被测场效应管规定的电压值，断开测量电路中被测 场效应管的接口及开关K1，不接入被测场效应管；(b)将电容值测量装置的测量端子接在接线端口 J2和J3上，从电容值测量装置中 得出测量电路的分布电容值C21，或者将电容值测量装置调零；(c)闭合测量电路中被测场效应管的接口及开关Kl ；(d)将被测场效应管接入测量电路中的被测场效应管的接口，从电容值测量装置 中得出测量电路的分布电容值C22 ；(e)被测场效应管的输入电容C2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种场效应管输入／输出电容的测量电路，其特征在于：包括可调稳压电源、电感Ｌ１、被测场效应管、电容Ｃ１、电阻Ｒ１、电阻Ｒ２、开关Ｋ１、接线端口Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３和电容值测量装置；所述电感Ｌ１的一端连接至被测场效应管的漏极ＪＤ，电感Ｌ１的另一端和被测场效应管的源极ＪＳ分别连接在可调稳压电源的输出端上形成电源回路；所述电阻Ｒ１和开关Ｋ１串联后并接在被测场效应管的栅极ＪＧ和源极ＪＳ之间；所述电容Ｃ１与电阻Ｒ２串联后并接在被测场效应管的漏极ＪＤ和源极ＪＳ之间；所述接线端口Ｊ１连接至电容Ｃ１和电阻Ｒ２之间形成输出电路，接线端口Ｊ２连接至被测场效应管的栅极ＪＧ，接线端口Ｊ３连接至被测场效应管的源极ＪＳ，所述电容值测量装置的测量端子接在其中两个接线端口上测量场效应管的输入或输出电容值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王保均，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：81
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