采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺制造技术

技术编号:6039758 阅读:575 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺,首先,在电池片受光面PECVD完成后,在电池片背光面上印刷一层铝浆;然后,进行烘烤,去除银浆中溶剂;最后,用激光照射使铝快速熔化并扩散至电池片基体中,形成P+层。本发明专利技术中,采用激光加热铝浆,在激光的作用下铝全扩散至电池片基体之中,不会出现传统的铝背场烧结后电池片翘曲的现象;同时,掺杂的浓度反而较传统的铝背场更高,形成的发射极也比传统的铝背场效果好;采用本发明专利技术的工艺后,电池片的工业化生产平均转换效率达到18.7%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅太阳能电池片的制备工艺,尤其是一种单晶硅电池片背面钝化层制作工艺,具体地说是一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺
技术介绍
表面钝化是提高单晶硅太阳能电池转换效率常用的方法,其目的是要提高少数载流子的表面寿命;由于电池片的厚度越来越小,表面寿命对数少载流子的寿命起着决定性的作用,表面钝化已成为现代单晶硅电池片生产过程中不可或缺的工序;表面钝化可以分为前表面钝化和背面钝化。表面钝化的作用原理有两种:一是通过涂层中的原子来饱和电池片表面的悬挂间,该原理的典型实现方法实在硅片表面形成二氧化硅层;另一个是在电池片的表面形成P+层,该层与电池片基体形成一个发射极来阻止少数载流子向电池片表面漂移,从而延长少数载流子寿命,该方法的典型实现方法是形成铝背场。在单晶硅太阳能电池片的生产过程中,要尽量缩短高温过程的时间,以减少对电池片基体的损伤,而传统的工艺无论是采用氧化钝化还是采用铝背场钝化,都要经过较长的高温过程,如专利号为CN101425549A的专利中提到的钝化层制备方法,电池片需要在840~900℃的高温下保持将近半个小时。另外,当前采用的铝背场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺,其特征是它包括以下步骤:(a)、在使用等离子体增强化学气相沉积法PECVD在电池片的受光面生长阻挡层之后,在电池片背光面上印刷一层铝浆;(b)、将印刷有铝浆的电池片进行烘烤,去除铝浆中溶剂;(c)、用激光照射加热,使铝浆层快速熔化并扩散至电池片基体中,形成P+层。

【技术特征摘要】
1.一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺,其特征是它包括以下步骤:(a)、在使用等离子体增强化学气相沉积法PECVD在电池片的受光面生长阻挡层之后,在电池片背光面上印刷一层铝浆;(b)、将印刷有铝浆的电池片进行烘烤,去除铝浆中溶剂;(c)、用激光照射加热,使铝浆层快速熔化并扩散至电池片基体中,形成P+层。2.根据权利要求1所述的采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺,其特征是所述的在电池片背光面上印...

【专利技术属性】
技术研发人员:程鹏飞侯泽荣全余生
申请(专利权)人:东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:32

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