【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件的加热，尤其是一种半导体器件的加热装置。
技术介绍
现有半导体器件按正常工作温度范围可以分为军工级、工业级和商业级三种，三种级别的半导体器件适用的温度范围分别为_40°C +125°C、-40°C +100°C和0°C +85°C。大多设备制造商普遍选用商业级半导体器件以降低成本，为了保证商业级半导体器件在低温下能够正常启动，通常采用的方式是对半导体器件进行加热以达到其启动所需的温度。目前常见的半导体器件的加热方法有以下两种。一种是通过加热板热辐射散热的方式加热半导体器件，这种加热技术存在如下缺陷正对加热板的半导体器件能直接受热辐射加热，而背对加热板的半导体器件只能等加热板加热空气，空气受热后再加热半导体器件，因此，这种加热技术对半导体器件正面贴装时有比较好的加热效果，对半导体器件背面贴装时加热效果很不理想，半导体器件升到启动温度需要比较长的时间；而且，加热板成本比较高。另一种是采用加热片直接对半导体器件的表面进行加热，将加热片直接粘贴于半导体器件的表面，或者将导热金属片粘贴于半导体器件的表面，通过大功率电阻加热导热金属片，导热金属片再导...
【技术保护点】
１．一种半导体器件的加热装置，其包括导热的底座、固定于底座上的ＰＣＢ板、设于ＰＣＢ板上的需要加热的半导体器件以及电加热体，其特征在于：在所述底座上分别设有第一腔室和第二腔室，所述需要加热的半导体器件容纳于该第一腔室内，且该半导体器件的顶面与该第一腔室的底面直接接触或者通过设于两者之间的导热体接触，所述加热体固定于该第二腔室内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：于广，王晓忠，梁建长，
申请(专利权)人：京信通信技术广州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81
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