一种制备一元或二元图案化胶体光子晶体的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备一元或二元图案化胶体光子晶体的方法。本发明专利技术在图案化的基底上生长胶体光子晶体薄膜，然后通过超声震荡选择性地剔除整个胶体光子晶体薄膜的非图案部分就得到一元图案化胶体光子晶体。在疏水化的图案化胶体光子晶体基础之上，继续沉积另一种胶体光子晶体就可以得到二元图案化胶体光子晶体。本发明专利技术提供的方法简单易行，可大面积制备最高图案精度可达10微米以下的任意图案的一元及二元胶体光子晶体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
光子晶体(Photonic Crystal)，又称光子带隙材料，它是由至少两种不同介电常 数的材料周期性地排列而形成的一种在特定方向上具有光子带隙的复合材料。这种特殊微 观结构使得光子晶体能够选择性地反射或局域特定波长(频率)的电磁波，因此也被成为 光的半导体，这也使得它在光学器件、激光、传感乃至通讯领域具有广泛的应用前景。传统制备光子晶体的方法主要包括“自上而下法(Top-Down) ”和“自下而上法 (Bottom-Up) ”。前者主要是利用微电子加工等方法得到可精确控制的周期性结构，耗时长、 成本高；后者主要是将胶体颗粒组装得到结构有序的三维胶体晶体，成本低，操作简便，但 是结构可控性较差。为此常有研究人员将两者结合起来，用微加工的模版来诱导胶体颗粒 组装形成特殊结构的胶体光子晶体(Colloidal Photonic Crystal)。制备可设计图案的光子晶体，是其由单一材料走向复杂器件的关键一步。通常制 作图案化光子晶体往往是在一个图案化的基底上，利用化学或者物理的模板作用来限制 生长胶体光子晶体。前者主要是在基底上首先修饰一层图案化的亲水或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备一元图案化胶体光子晶体的方法，包括如下步骤：１）在图案化基底上制备一层铬层，再在所述铬层上制备一层铜层或金层后，将基底插入到含有二氧化硅微球或聚苯乙烯微球的水分散液中进行烘干，在所述图案化基底的铜层或金层表面得到一元图案化胶体光子晶体薄膜；２）将所述步骤１）所得基底浸泡于溶剂中进行超声，超声完毕后在所述基底表面得到所述一元图案化胶体光子晶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋恺，丁涛，杨国强，佟振合，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11