一种制备P型SiC纳米线场效应管的方法技术

一种制备基于P型SiC纳米线的场效应管的新方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷与一定量的硝酸铝混合均匀后在保护气氛N2或Ar气气氛下，于260℃进行低温交联固化，得到非晶态固体，然后球磨粉碎；(2)将粉碎得到的粉末置于Al2O3坩埚的底部，并在其上方放置C基板；(3)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(4)随炉冷却至室温，由此可在C基板上得到原位掺杂Al的SiC纳米线；(5)将得到的原位掺杂Al的SiC纳米线分散在乙醇溶液里，将此悬浮液旋涂在有氧化层的硅片上，采用光刻-蒸镀-剥离工艺在SiC纳米线两端分别制作源电极、漏电极，并以硅衬底作背栅极。与已报道的没有掺杂的SiC纳米线场效应管相比，本发明专利技术实现了P型SiC纳米线场效应管的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于材料制备

技术介绍
哈佛大学科学家Lieber教授认为“一维体系是可用于电子有效传播及光激发的 最小维度结构，因此可能成为实现纳米器件集成与功能的关键”。据报道，目前国外已有数 家单位研制出的性能较好的基于Si纳米线的纳电子晶体管，这为一维纳米线在纳电子器 件的应用展现了诱人的前景。所以，基于一维纳米结构的器件研发已成为全球科技的研究 热点和焦点。而场效应晶体管，由于其在微电子工业中的重要性，已经成为研究一维纳米结 构电输运性能的主要器件之一，这是因为它的纳米结构可赋予场效应晶体管更为优异的性 能。SiC是继第一代(Si)和第二代(GaAs)半导体材料之后发展起来的第三代半导体 材料。与其传统体材料相比，低维纳米SiC结构具有优异的物理和化学性能，比如高的禁 带宽度、高的临界击穿电场和热导率、小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射 能力强、机械性能好等特性，成为制作高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的理想材 料。在国内外，对SiC纳米结构的电学性能已有了初步研究，对SiC纳米线场效应管的 研究也取得了一定的成果，但所报道的均为基于SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制备基于Ｐ型ＳｉＣ纳米线的场效应管的新方法，其包括以下具体步骤：（１）有机前驱体聚硅氮烷与一定量的硝酸铝的混合物混合均匀后在保护气氛Ｎ２或Ａｒ气气氛下，于２６０℃进行低温交联固化，得到非晶态固体；（２）将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎；（３）将粉碎得到的粉末置于Ａｌ２Ｏ３坩埚的底部，在其上方放置Ｃ基板；（４）将Ａｌ２Ｏ３坩埚置于气氛烧结炉中，在Ａｒ气氛保护下于１３５０～１５５０℃范围内进行高温热解，保温５～１２０ｍｉｎ；（５）随炉冷却至室温，由此可在Ｃ基板上得到原位掺杂Ａｌ的ＳｉＣ纳米线；（６）将得到的原位掺杂Ａｌ的ＳｉＣ纳米线分散在乙醇溶液里，将此悬浮液旋涂在有氧化层的硅片上，采用...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张新霓，陈友强，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：95