掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了RE掺杂(RE＝Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Cr、Ti、Bi)的LnGaGe2O7(Ln＝La、Gd)发光材料，以及它们的熔体法晶体生长方法，其掺杂原子百分比浓度为0.01～50％。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；本发明专利技术的发光材料可用于显示、照明及激固体激光技术等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光材料和晶体生长领域，具体涉及稀土元素Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、 Ho、Tm, Yb和非稀土元素Cr、Ti、Bi掺杂的RExLrvxGaGe2O7发光材料，以及它们的熔体法晶 体生长方法。
技术介绍
发展新型激光材料是推动固体激光技术进步的重要基础，而发光材料在显示领域 有重要而广泛的应用。稀土锗镓酸盐作为激光材料的具有如下优点(1)掺杂激活离子与 基质中被替换的离子都是稀土离子，容易替换掺杂进入单一发光中心且能够实现较大浓度 掺杂甚至全掺杂；( 稀土锗镓酸盐的熔点比较低，有利提拉法单晶生长。A.A.KaminSk 等人合成了系列稀土锗镓酸盐(LnGaGii2O7，Ln = La，Pr, Nd, Sm, Eu，Gd，Tb，Dy，空间群 No. 14， P 2jc)，并用提拉法生长LaGaGe2O7和GdGaGe2O7单晶，并研究了 Nd3+掺杂的LnfeiGe207(Ln =La，Gd)的光谱性能。本专利技术主要以LaGaGe207、GdGaGe207为基质，在其中掺入^nShkEu、 Tb、Dy、Er、H0、TmJb、Cr、Ti、Bi作为激活离子，获得发本文档来自技高网...

【技术保护点】
掺杂稀土锗镓酸盐ＲＥ↓［ｘ］Ｌｎ↓［１－ｘ］ＧａＧｅ↓［２］Ｏ↓［７］发光材料，其特征在于：化合物分子式可表示为ＲＥ↓［ｘ］Ｌｎ↓［１－ｘ］ＧａＧｅ↓［２］Ｏ↓［７］，ＲＥ代表稀土元素Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ，以及非稀土元素Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂｉ，Ｌｎ代表稀土元素Ｌａ、Ｇｄ，ｘ的取值范围为：０．０００１≤ｘ≤０．５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆礼，殷绍唐，孙敦陆，宁凯杰，刘文鹏，罗建乔，
申请(专利权)人：中国科学院安徽光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：34