钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了掺杂稀土钽酸盐RExBi1-xNbyTa1-yO4发光材料(RE代表Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Cr、Ti元素，0≤x≤0.5，0≤y≤1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；RE′xBi1-xNbyTa1-yO4可用作发光显示材料、激光工作物质等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光材料和晶体生长领域，稀土 Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb 或非稀土 Cr、Ti掺杂的钽铌酸铋RExBihNbyTivyO4,以及它们的熔体法晶体生长方法。
技术介绍
在低对称性的晶体中，对于处于低对称性的发光激活离子如稀土离子、过渡族离 子Cr3+、Ti3+来说，低对称性有利于解除跃迁宇称禁戒，增强发光效率，同时低对称性晶体有 各向异性物理性质，利用其作为激光工作物质时可直接获得偏振激光。钽铌酸铋属正交或 三斜晶系，其中Bi离子的格位对称性为C1,且有两个对称格位。当掺杂激活离子替代Bi离 子的格位时，激活离子将占据C1对称格位，有利于晶场能级分裂加宽及发光跃迁的宇称禁 戒解除，提高发光效率，有望用作荧光和激光材料，在显示、激光技术等领域获得应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供稀土钽酸盐RExBihNbyTi^yO4发光材料及其熔体法晶体生长 方法，获得性能优良的发光材料，有望用于显示和激光
为实现上述目的本专利技术采用的技术方案如下钽铌酸铋RExBihNbyTivyO4发光材料，其特征在于化合物分子式可表示为 RExBIh本文档来自技高网...

【技术保护点】
钽铌酸铋ＲＥ↓［ｘ］Ｂｉ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｙ］Ｔａ↓［１－ｙ］Ｏ↓［４］发光材料，其特征在于：化合物分子式可表示为ＲＥ↓［ｘ］Ｂｉ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｙ］Ｔａ↓［１－ｙ］Ｏ↓［４］，其中：ＲＥ代表Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ元素，ｘ、ｙ的取值范围为：０≤ｘ≤０．５，０≤ｙ≤１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆礼，殷绍唐，孙敦陆，许兰，刘文鹏，罗建乔，
申请(专利权)人：中国科学院安徽光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：34