【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检测方法及系统，更具体地说，涉及一种发光元件的缺陷检测方 法及系统。
技术介绍
发光二极管晶粒的制程大致可区分为磊晶阶段、黄光显影阶段、以及切割等三大 步骤，而上述三阶段的制程优劣对发光二极管晶粒的良率影响甚巨。举例而言，在形成磊晶 的过程中，由于成长基板与用以成长磊晶的材料间的晶格常数及膨胀系数有差异，因此必 须于成长基板上先形成一缓冲层，再于缓冲层上接续成长诸如η型半导体层、发光层、ρ型 半导体层等磊晶层。然而若缓冲层厚度及形成的工作温度控制不当，易使成长基板与磊晶 层间产生的应力过大，或成长基板的结晶性无法有效的传到磊晶层，进而造成磊晶层的崩 坏。黄光显影制程中所发生的缺失则与发光二极管晶粒表面的缺陷较为相关，例如在覆盖 光阻-曝光-显影-蚀刻-去除光阻以使η型半导体层外露的过程中可能会发生诸如光阻 涂覆问题、对焦与曝光缺陷、显影缺陷、修边问题、污染以及刮痕而导致缺陷的产生。而在后 续形成金属电极时常见的缺陷则有金属残留；而形成以ITO为材料的透明电极时，亦常出 现ITO破损的现象。切割制程中所发生常见的缺失的则有切割不当。用可见光照射发...
【技术保护点】
１．一种发光元件的缺陷检测系统，应用于检测至少一待测发光元件，包括：一承载体，用以承载该待测发光元件；一光源发射单元，用以向该待测发光元件发射高于该待测发光元件的能阶的检测光源，以使该待测发光元件发出萤光；以及一判断模块，用以判断该待测发光元件是否有缺陷，当该待测发光元件具有至少一缺陷时，该缺陷便会受萤光的照射而显示出来。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：欧震，徐宸科，陈俊昌，苏文正，郭端祥，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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