晶片级发光二极管封装结构及其制作方法技术

一种晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，该封装结构包括：一发光单元、一反射单元、一第一导电单元及一第二导电单元。发光单元具有一基板本体、一设置在基板本体上的发光本体、一成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于发光本体内的发光区域。反射单元具有一成形于正、负极导电层之间并且成形于基板本体上以包围发光本体外侧的反射层。第一导电单元具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层。第二导电单元具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤指一种晶片级发光二极管 封装结构及其制作方法。
技术介绍
电灯的专利技术可以说是彻底地改变了全人类的生活方式，倘若我们的生活没有电 灯，夜晚或天气状况不佳的时候，一切的工作都将要停摆；倘若受限于照明，极有可能使房 屋建筑方式或人类生活方式都彻底改变，全人类都将因此而无法进步，继续停留在较落后 的年代。因此，今日市面上所使用的照明设备，例如日光灯、钨丝灯、甚至到现在较广为大 众所接受的省电灯泡，皆已普遍应用于日常生活当中。然而，此类电灯大多具有光衰减快、 高耗电量、容易产生高热、寿命短、易碎或不易回收等缺点。因此，为了解决上述的问题，发 光二极管因应而生。请参阅图1所示，其为现有发光二极管封装结构的结构示意图。由上述图中可知， 现有发光二极管封装结构包括一发光本体11a、两个分别设置于该发光本体Ila上的正极 导电层1 及负极导电层Na、三层依序堆栈在该发光本体Ila上且邻近该正极导电层1 的 ITO层、Si02层及Ti/Al/Ti/Au层(反射层)、一形成于该正极导电层1 及该负极导电层 Na之间且包围该正极导电层1 与该负极导电层Na的外侧边的光致抗蚀剂层加、及两个分 别设置在该正极导电层1 及该负极导电层Na上端的导电层3a。然而，现有的发光二极管 封装结构的散热效果不佳。因此，本专利技术人有感上述可改善的缺陷的，且依据多年来从事此方面的相关经验， 悉心观察且研究的，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发 明。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，在于提供一种晶片级发光二极管封装结构及其制作 方法，其能够有效的增加发光效率及散热效果。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种晶片级发光二极 管封装结构，其包括一发光单元、一反射单元、一第一导电单元及一第二导电单元。其中， 该发光单元具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上 的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区 域。该反射单元具有一成形于该正极导电层及该负极导电层之间并且成形于该基板本体上 以包围该发光本体外侧的反射层。该第一导电单元具有一成形于该正极导电层上的第一正 极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层。该第二导电单元具有一成形于该 第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电 结构。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种晶片级发光二极 管封装结构的制作方法，其包括下列步骤首先，提供一具有多个发光单元的晶片，其中每 一个发光单元具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体 上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光 区域；接着，切除该发光本体的一部分，以露出该基板本体上表面的外围区域；然后，成形 一反射层，其位于该正极导电层及该负极导电层之间并且位于该基板本体的外围区域上以 包围该发光本体的外侧并露出该正极导电层及该负极导电层；接下来，于所述多个发光单 元上分别成形多个第一导电单元，其中每一个第一导电单元具有一成形于每一个正极导电 层上的第一正极导电层及一成形于每一个负极导电层上的第一负极导电层；最后，于所述 多个第一导电单元上分别成形多个第二导电单元，其中每一个第二导电单元具有一成形于 每一个第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于每一个第一负极导电层上的第 二负极导电结构。因此，本专利技术的有益效果在于本专利技术可省略现有光致抗蚀剂层的使用，而直接以 一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层(Distributed BraggReflector，DBR)来作 为一用于反射光源的反射单元，因此本专利技术不但可以通过该分布式布拉格反射层(DBR)的 使用来增加发光效率(加强光源被该反射单元反射的机率)，并且本专利技术亦可因为省略现 有光致抗蚀剂层的使用而减少导热路径，进而增加散热效果。为了能更进一步了解本专利技术为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅 以下有关本专利技术的详细说明与附图，相信本专利技术的目的、特征与特点，当可由此得一深入且 具体的了解，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为现有发光二极管封装结构的结构示意图；图2为本专利技术晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的流程图；图2A至图2J分别为本专利技术晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例 的制作流程示意图；图3为本专利技术晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分流程 图；以及图3A至图3C分别为本专利技术晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例 的部分制作流程示意图。其中，附图标记说明如下发光本体Ila正极导电层Pa负极导电层Na光致抗蚀剂层 加导电层3a晶片W发光单元1氧化铝基板100发光二极管封装结构Z 基板本体10发光本体11氮化镓负电极层110氮化镓正电极层111正极导电层P正极导电区域Pl负极导电层N负极导电区域Nl发光区域A反射材料R反射单元2第一导电层Ml第一导电单元3第一负极导电层3N第二导电结构M2第二导电单元4第二负极导电结构4N荧光层5高分子基板S电路板C锡球B光束L反射层20第一正极导电层3P第二正极导电结构 4P具体实施例方式请参阅图2、及图2A至图2J所示，本专利技术第一实施例提供一种晶片级发光二极管 封装结构的制作方法，其包括下列步骤步骤SlOO为请配合图2及图2A所示，提供一具有多个发光单元1的晶片W(图 式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元1)，其中每一个发光单元1具有一基板本 体10、一设置在该基板本体10上的发光本体11、一成形于该发光本体11上的正极导电层 P(例如P型半导体材料层)、一成形于该发光本体11上的负极导电层N(例如N型半导体 材料层)、及一成形于该发光本体11内的发光区域A。此外，该基板本体10为一氧化铝基板100，并且该发光本体11具有一成形于该氧 化铝基板100上的氮化镓负电极层110及一成形于该氮化镓负电极层110上的氮化镓正电 极层111。此外，该正极导电层P成形于该氮化镓正电极层111上，该负极导电层N成形于 该氮化镓负电极层110上，并且该正极导电层P的上表面具有一正极导电区域P1，该负极 导电层N的上表面具有一负极导电区域m。另外，该发光区域A(光源被激发出来的地方) 形成于该氮化镓负电极层110与该氮化镓正电极层111之间。步骤S102为请配合图2及图2B所示，切除该发光本体11的一部分，以露出该基 板本体10上表面的外围区域H。换言之，如图2B所示，当该氮化镓负电极层110的一部分 与该氮化镓正电极层111的一部分被移除后，该氧化铝基板100上表面的外围区域H被外露出来。步骤S104为请配合图2、及图2C至图2D所示，成形一反射层20 (例如该反射层 20可由反射材料R经过蚀刻而成，如同图2C至图2D的过程所示)，其位于该正极导电层P 及该负极导电层N之间并且位于该基板本体10的外围区域H上，以包围该发光本体11的 外侧并露出该正极导电层P及该负极导电层N。依据不同的设计需求，该反射层20可使用 任何的绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一发光单元，其具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；一反射单元，其具有一成形于该正极导电层及该负极导电层之间并且成形于该基板本体上以包围该发光本体外侧的反射层；一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；以及一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，萧松益，陈政吉，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]