可增加发光效率的白色发光二极管封装结构及其制作方法技术

一种白色发光二极管封装结构，其包括：一基板单元、一半导体发光单元、一透光单元、一导电单元、及一荧光单元。半导体发光单元成形于基板单元上，半导体发光单元具有一发光本体及两个成形于发光本体上的正、负极导电层。透光单元具有一成形在半导体发光单元上的透光层及至少两个用于露出正极导电层的一部分上表面及负极导电层的一部分上表面的缺口。导电单元具有两条导线，其分别穿过上述两个缺口，以分别电性连接于正极导电层与基板单元之间及电性连接于负极导电层与基板单元之间。荧光单元成形于基板单元上，以覆盖半导体发光单元、透光单元及导电单元。本发明专利技术的技术方案可有效地增加已封装的发光芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤指一种可增加发光效率 的白色发光二极管封装结构及其制作方法。
技术介绍
请参阅第一图所示，习知白色发光二极管封装结构包括一封装本体1、一已封装 发光芯片2、至少两个导电基板(30、31)、一透明胶体4及一荧光胶体5。其中，该封装本体 1具有一容置空间10。上述至少两个导电基板30、31设置于该封装本体1的容置空间10 内。该已封装发光芯片2固设于该封装本体1的容置空间10内，并且电性地连接于上述至 少两个导电基板30、31之间。该透明胶体4填充于该封装本体1的容置空间10内，并且该 荧光胶体5也填充于该容置空间10内且覆盖于该已封装发光芯片2的上端，以避免该荧光 胶体5的质量受到该已封装发光芯片2的发热所影响。换言之，通过“将该荧光胶体5与该 已封装发光芯片2进行隔离”，使得该已封装发光芯片2所产生的热能不会直接传递到该荧 光胶体5，进而该荧光胶体5能够维持其原有的质量，并且能够增加使用的寿命。然而，虽然通过“将该荧光胶体5与该已封装发光芯片2进行隔离”，能够使得使得 该荧光胶体5维持其原有的质量，但是上述的方式却无法有效地增加该已封装发光芯片2 的发光效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，在于提供一种可增加发光效率的白色发光二极管封 装结构及其制作方法。因为光束可以轻易地从折射率较大的介质传送到折射率较小的介 质，所以本专利技术半导体发光单元所产生的光束能够有效地投射出去，以达到增加发光效率 的目的。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种可增加发光效率 的白色发光二极管封装结构，其包括一基板单元、一半导体发光单元、一透光单元、一导电 单元、及一荧光单元。其中，该半导体发光单元成形于该基板单元上，其中该半导体发光单 元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、及一成形于该发光本体上的负 极导电层。该透光单元具有一成形在该半导体发光单元上的透光层及至少两个用于露出该 正极导电层的一部分上表面及该负极导电层的一部分上表面的缺口。该导电单元具有至少 两条导线，其中上述至少两条导线分别穿过上述两个缺口，以分别电性连接于该正极导电 层与该基板单元之间及电性连接于该负极导电层与该基板单元之间。该荧光单元成形于该 基板单元上，以覆盖该半导体发光单元、该透光单元及该导电单元。藉此，因为该半导体发 光单元、该透光单元及该荧光单元的折射率都不相同，所以该半导体发光单元所产生的光 线依序穿过该透光单元及该荧光单元。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种可增加发光效率 的白色发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤首先，提供一半导体发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层及一成形于该发光本体上的负极 导电层；接着，形成一透光层于该半导体发光单元上；然后，形成至少两个穿透该透光层的 缺口，以用于露出该正极导电层的一部分上表面及该负极导电层的一部分上表面；接下来， 将该半导体发光单元电性地设置于一基板单元上；紧接着，将至少两条导线分别穿过上述 两个缺口，以分别电性连接于该正极导电层与该基板单元之间及电性连接于该负极导电层 与该基板单元之间；最后，形成一荧光单元于该基板单元上，以覆盖该半导体发光单元、该 透光层及上述至少两条导线。本专利技术的有益效果在于因为该半导体发光单元、该透光单元及该荧光单元的折 射率都不相同，所以该半导体发光单元所产生的光线有效率地依序穿过该透光单元及该荧 光单元，进而提高白色光源的发光效率。为了能更进一步了解本专利技术为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅 以下有关本专利技术的详细说明与附图，相信本专利技术的目的、特征与特点，当可由此得一深入且 具体的了解，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。附图说明图1为现有的白色发光二极管封装结构的侧视剖面示意图；图2为本专利技术的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的制作方法的第一 实施例的流程图；图2A至图2F为本专利技术的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的制作方法 的第一实施例的制作流程示意图；以及图3为本专利技术的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的第二实施例的侧 视示意图。其中，附图标记说明如下封装本体已封装发光芯片导电基板透明胶体荧光胶体半导体发光单元 1容置空间10230,3145Ia 发光本体IOa发光区域Aa氧化铝基板IOOa 氮化镓负电极层IOla氮化镓正电极层10 正极导电层Pa正极导电区域Pla负极导电层Na负极导电区域Nla反射层12a透光单元2a透光层20a透光层20a ‘缺口21a基板单元3a基板本体30a正极导电焊垫3Pa负极导电焊垫3Na荧光单元4a聚焦透镜5a导电单元Ca导线Cla光束Lla、L2& >L3&白色光束L4a、L5a半导体发光单元lb发光区域Ab荧光单元2b透光层20b基板单元3b荧光单元4b聚焦透镜5b导电单元Cb光束Lib、L2b,L3b白色光束L4b、L5b具体实施例方式请参阅图2所示，本专利技术提供一种可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的 制作方法，其包括下列步骤首先，提供一半导体发光单元，其具有一发光本体、一成形于该 发光本体上的正极导电层及一成形于该发光本体上的负极导电层；接着，形成一透光层于 该半导体发光单元上；然后，形成至少两个穿透该透光层的缺口，以用于露出该正极导电层 的一部分上表面及该负极导电层的一部分上表面；接下来，将该半导体发光单元电性地设 置于一基板单元上；然后，上述至少两条导线分别穿过上述两个缺口，以分别电性连接于该 正极导电层与该基板单元之间及电性连接于该负极导电层与该基板单元之间；最后，形成 一荧光单元于该基板单元上，以覆盖该半导体发光单元、该透光单元及该导电单元。接下来，本专利技术可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的制作流程将配合图 2A至图2F来进行说明。请配合图2及图2A所示，提供一半导体发光单元la，其具有一发光本体10a、一成 形于该发光本体IOa上的正极导电层Pa(例如P型半导体材料层)、一成形于该发光本体 IOa上的负极导电层Na (例如N型半导体材料层)、及一成形于该发光本体IOa内的发光区 域Aa (步骤S100)。此外，该发光本体IOa具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板IOOa上的 氮化镓负电极层101a、及一成形于该氮化镓负电极层IOla上的氮化镓正电极层102a，此外该正极导电层1 成形于该氮化镓正电极层10 上，该负极导电层Na成形于该氮化镓负电 极层IOla上。另外，该正极导电层1 的上表面具有一正极导电区域Pla，该负极导电层Na 的上表面具有一负极导电区域ma。再者，该半导体发光单元Ia更进一步具有一设置于该发光本体IOa底端的反射层 12a,以使得该发光区域Aa所产生的朝下光束Lla能通过该反射层12a的反射而转换为朝 上光束Ua。请配合图2及图2B所示，形成一透光层20a于该半导体发光单元Ia上(步骤 S102)。亦即，该透光层20a成形于该正极导电层1 的部分正极导电区域Pla上、及该负极 导电层Na的部分负极导电区域ma上，其中该透光层20a可为一透明单晶氧化铝层。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种可增加发光效率的白色发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一基板单元；一半导体发光单元，其成形于该基板单元上，其中该半导体发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、及一成形于该发光本体上的负极导电层；一透光单元，其具有一成形在该半导体发光单元上的透光层及至少两个用于露出该正极导电层的一部分上表面及该负极导电层的一部分上表面的缺口；一导电单元，其具有至少两条导线，其中上述至少两条导线分别穿过上述两个缺口，以分别电性连接于该正极导电层与该基板单元之间及电性连接于该负极导电层与该基板单元之间；以及一荧光单元，其成形于该基板单元上，以覆盖该半导体发光单元、该透光单元及该导电单元；其中该半导体发光单元、该透光单元及该荧光单元的折射率都不相同，从而该半导体发光单元所产生的光线依序穿过该透光单元及该荧光单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，庄峰辉，萧松益，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]