一种照明控制集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种照明控制集成电路，它包括低压控制芯片以及电平转移电路和高压功率管芯片，且所述的电平转移电路和高压功率管芯片与低压控制芯片芯片连接。所述的电平转移电路和高压功率管芯片以及低压控制芯片封装在同一封装体中。本实用新型专利技术成功地回避了价格较高的高压隔离技术，大大减少了芯片的成本。同时，双芯片的结构使得各种芯片的组合更加灵活，为实现各种功能的驱动方法提供了巨大的便利。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路结构，尤其涉及一种照明控制集成电路。
技术介绍
在强调节能环保的当今世界，如何高效率地使用能源已经成为全世界的研 究型机构、大学以及高科技企业越来越关注的课题。其中，对于照明方面的电 力管理集成电路的研究，如电感萤光灯、电子萦光灯、紧凑型萤光灯(CFL)、 卣素灯控制集成电路以及高压气体放电灯(HID)技术等，因其能够广泛地应 用在居民区、商业和汽车中，与国计民生息息相关，更成为了目前节能领域研 究的重中之重。照明控制集成电路最典型的应用方法是与若干个外部无源器件一起，驱动 其内部的两个高压(通常高于400V)功率M0S晶体管，实现一个半桥变换器。目前，在现有的照明控制集成电路中，高电压半导体结隔离技术是其中必 要的一部分，获得了广泛应用，其主要目的是将照明控制集成电路内部的高压 功率MOS晶体管与低压控制电路制作在同一芯片上，达到一体化解决的效果。 该技术的主要特点概括如下高电压半导体结隔离技术允许高压功率MOS晶体管电路放置在隔离的"井" 区域里面，这个"井"区域到低压电路可以有600V隔离。这样，高压功率MOS晶体管与低压控制电路就能工作在同一芯片上，为批量生产提供了便利。但是， 随之带来的问题在于高电压半导体结隔离技术的复杂性和伴随的昂贵售价，限制了照明集成电路进一步的普及。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的不足，本技术旨在提供一种改进的照明 控制集成电路，回避了复杂且成本高的高电压半导体结隔离技术，大大减少了3芯片的成本。本技术所述的一种照明控制集成电路，包括低压控制芯片，其特征在于它还包括电平转移电路和高压功率管芯片，且所述的电平转移电路和高压 功率管芯片与低压控制芯片连接。在上述的照明控制集成电路中，所述的电平转移电路和高压功率管芯片以 及低压控制芯片封装在同 一封装体中。在上述的照明控制集成电路中，所述的电平转移电路和高压功率管芯片包 括两个相互连接的高压功率MOS晶体管。由于采用了上述的技术解决方案，本技术通过使用双芯片封装的结构，将 原先集成在同一块芯片上的高压功率MOS晶体管与低压控制电路分割成两块独立 的集成芯片，即电平转移电路和高压功率管集成芯片和低压控制芯片，从而使得在 芯片的设计中避免了使用高电压半导体结隔离技术。在这样的结构中，本技术 成功地回避了高价的结隔离技术，使得电路结构简单，大大减少了制造成本。同时， 双芯片的结构使得各种芯片的组合更加灵活，为实现各种功能的驱动方法提供了巨 大的便利。附困说明附图说明图1是本技术一种照明控制集成电路的结构示意图； 图2是本技术一种照明控制集成电路中电平转移电路和高压功率管芯 片以及低压控制芯片的封装示意图。具体实施方式以下结合附图，对本技术进行详细说明。请参见图1、图2，本技术，即一种照明控制集成电路IO,包括低压控制 芯片1以及电平转移电路和高压功率管芯片2,其中，电平转移电路和高压功率管 芯片2通过丝焊的飞线4与低压控制芯片1连接，且电平转移电路和高压功率管芯 片2和低压控制芯片1封装在同一封装体5中。电平转移电路和高压功率管芯片2包括两个相互连接的高压功率MOS晶体管 (通常高于400V)(图中未示)。在本技术中，电平转移电路和高压功率管芯片2和低压控制芯片1可以通 过划片机将现有技术中的同时集成有高压功率MOS晶体管与低压控制电路的芯片 分离得到，因此，从生产角度上讲，电平转移电路和高压功率管芯片2和低压控制 芯片1仍旧在同一片硅片上制作完成，从而使得现有技术中批量生产的优势得以保 存。在封装过程中，首先通过划片机将硅片分割，使它们成为独立的两块芯片，再 将它们通过飞线连接，从而实现了控制信号在双芯片之间的传递，最后再将这两片 独立的芯片封装在同一个封装体中，从而彻底回避了高电压半导体结隔离技术。综上所述，本技术结构简单，价格低廉。同时，双芯片的结构使得各种芯 片的组合更加灵活，为实现各种功能的驱动方法提供了巨大的便利。以上结合附图实施例对本技术进行了详细说明，本领域中普通技术人 员可根据上述说明对本技术做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节 不应构成对本技术的限定，本技术将以所附权利要求书界定的范围作 为本技术的保护范围。权利要求1.一种照明控制集成电路，包括低压控制芯片，其特征在于它还包括集电平转移电路和高压功率管芯片，且所述的电平转移电路和高压功率管芯片与低压控制芯片连接。2. 根据权利要求1所述的照明控制集成电路，其特征在于所述的电平 转移电路和高压功率管芯片以及低压控制芯片封装在同 一封装体中。3. 根据权利要求1或2所述的照明控制集成电路，其特征在于所述的 电平转移电路和高压功率管芯片包括两个相互连接的高压功率MOS晶体管。专利摘要本技术涉及一种照明控制集成电路，它包括低压控制芯片以及电平转移电路和高压功率管芯片，且所述的电平转移电路和高压功率管芯片与低压控制芯片芯片连接。所述的电平转移电路和高压功率管芯片以及低压控制芯片封装在同一封装体中。本技术成功地回避了价格较高的高压隔离技术，大大减少了芯片的成本。同时，双芯片的结构使得各种芯片的组合更加灵活，为实现各种功能的驱动方法提供了巨大的便利。文档编号H05B41/14GK201341261SQ20082015822公开日2009年11月4日 申请日期2008年12月30日 优先权日2008年12月30日专利技术者康明利, 王小明, 聪 陈 申请人:上海贝岭股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明控制集成电路，包括低压控制芯片，其特征在于：它还包括集电平转移电路和高压功率管芯片，且所述的电平转移电路和高压功率管芯片与低压控制芯片连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王小明，康明利，陈聪，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]