澄清反应池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种澄清反应池，目的在于去除废水中的结晶体，所述废水是由气体洗涤设备排放到排水管道中的。所述澄清反应池包括沉淀槽以及集水槽，所述沉淀槽为一开口容器，所述集水槽设置于沉淀槽侧壁内面的上部。气体洗涤设备产生的废水流入沉淀槽内，沉淀槽内部填充有填料，使废水内的结晶反应快速结束，结晶体沉积在沉淀槽底部和填料表面，澄清反应后的废水溢流到集水槽内，再排放到排水管道中，从而解决了排水管道因结晶体附着在管道内壁而造成排水管道堵塞的问题，可保障工艺生产顺利进行。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及澄清反应池，特别涉及去除结晶体的澄清反应池。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料 的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。在化学气 相沉积工艺中，需要应用到含氟的气体，燃烧后会产生含氟离子的废气，需经 气体洗涤装置(Local Scrubber)处理，将气相污染转化成液相污染。气体洗涤 装置的内部设有喷淋装置，可使含氟离子的废气与喷淋水大面积接触后溶解于 水，通过排水管道将废水排放到相应的废水收集站，再进行液相污染的治理。 在半导体生产制造过程中，经常发生排水管道排水不畅的现象，这会间接导致 化学气相沉积设备出现故障，带来极大的损失。经检查发现产生排水管道排水不畅的原因，是因为化学气相沉积工艺上产 生的含氟离子的废气被高硬度的自来水洗涤后溶解于水，产生的废水中含有氟 离子，与高硬度的自来水中的钙镁离子结合，发生结晶反应。最严重的结晶反 应发生排水管道中，结晶体附着在排水管道内壁，而导致排水管道堵塞，这需 要设备人员频繁更换排水管道，成本高、效率低，且无法取得理想的效果。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种澄清反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种澄清反应池，其特征在于，包括：　沉淀槽，为上部开口容器，包括侧壁及底部；以及　集水槽，设置于上述侧壁内面的上部，由溢流堰与上述侧壁围成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑津，郭健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]