本实用新型专利技术提供一种抛光垫，特别是涉及一种抛光垫的抛光面槽底的宽度为０ｍｍ的抛光垫。此抛光垫具有一抛光面，并具有至少一沟槽设于抛光面上，其中沟槽具有一槽口与一槽底，其特征在于抛光面的槽底的宽度为０ｍｍ，因此进行于抛光作业时，悬浮于抛光液中的研磨颗粒不易沉积于槽底，避免待磨物受沉积物的刮伤而受损。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种抛光垫，特别是涉及一种抛光面的槽底的宽度为0mm的抛光垫。
技术介绍
电子芯片是通过沉积(Depositkm)不同层化材料而形成，例如硅晶片 即是层化材料的基材(Substmte)之一，当每一个新的材料层被沉积上时， 常需要使用研磨或抛光的步骤，以去除多余的沉积层材料，以使芯片平 坦化，或是达成其它的目的，而此种抛光的过程常被称为化学机械抛光 平坦化(Chemical Mechanical Polishing, CMP)。由于芯片由各种不同的薄 膜(Thin Film)材料层所堆积形成，因此必须经过多次的CMP抛光步骤， 才能将材料层由芯片的表面均匀去除，而达到平坦化的目的。而通常在进行抛光作业时，会于芯片与抛光垫之间导入化学抛光液 (slurry),由沉积的薄膜材料层与化学抛光液所产生的化学作用，或是与 化学抛光液中的颗粒发生机械作用，以移除部份芯片表面多余的薄膜层， 但是由于抛光液会存在于抛光垫与芯片之间，容易使抛光垫与芯片之间 完全贴合，而导致抛光垫与芯片之间的摩擦力消失，因此为了使抛光作 业达到较佳的抛光效果，目前最为普遍的作法是在抛光垫的表面上刻设 沟槽，除了可增加抛光垫与芯片之间的摩擦力，第二可确保抛光液均匀 分布于抛光垫的表面上，第三可使悬浮于抛光液中的研磨颗粒与抛光碎 屑经由沟槽而流出。然而， 一般在抛光垫IO的表面上刻设沟槽后，沟槽的槽底会出现约 90度的直角刻痕，如图1所示，因此进行抛光作业时，抛光液中的研磨 颗粒或因抛光而产生的碎屑，容易累积在刻痕的角落(死角)中无法流出， 残留的研磨颗粒或沉淀物，会形成较大的颗粒，导致抛光物的表面刮伤 与损坏。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术的主要目的在于提供一种抛光垫，其抛光面的槽底宽度为0mm，可避免悬浮于抛光液中的研磨颗粒或因抛光 而产生的碎屑，会于槽底形成较大的颗粒，导致待磨物受刮伤而受损。本技术的另一主要目的在于提供一种抛光垫，其抛光面的槽底 的设计有助于抛光液的流动。本技术的又一主要目的在于提供一种抛光垫，其抛光垫的沟槽 可确保抛光液能均匀分布于抛光面上。依据上述的目的，本技术提供一种抛光面的槽底的宽度为Omm 的抛光垫。此抛光垫具有一抛光面，并具有至少一沟槽设于抛光面上， 其中沟槽具有一槽口与一槽底，其特征在于抛光面的槽底的宽度为Omm， 因此进行抛光作业时，悬浮于抛光液中的研磨颗粒不易沉积于槽底，以 避免待磨物因刮伤而受损。因此，本技术所提供的抛光垫，其槽底的宽度为Omm的设计， 除了可避免研磨颗粒或抛光碎屑沉积于槽底，导致待磨物刮伤而受损外， 其槽底的设计有助于抛光液的流动，因此不会累积过多的抛光液于沟槽 当中，可提供较佳的抛光效果。附图说明图1为一抛光垫的剖面图(现有技术)。 图2为一抛光垫的正视图。 图3A为一抛光垫的沟槽的剖面图。 图3B为一抛光垫的沟槽的剖面图。 图3C为一抛光垫的沟槽的剖面图。 图3D为一抛光垫的沟槽的剖面图。主要元件符号说明10 抛光垫20 抛光垫21 抛光面22 沟槽221 槽口222 槽底223 断面Al 抛光面与断面的夹角具体实施方式由于本技术为揭露一种抛光垫，特别是涉及一种抛光面的槽底 的宽度为0mm的抛光垫。由于，本技术所利用到的一些抛光垫的详 细制造或处理过程，是利用现有技术来达成，故在下述说明中，并不作 完整描述。而且下述内文中的附图，亦并未依据实际的相关尺寸完整绘 制，其作用仅在表达与本技术特征有关的示意图。图2为本技术抛光垫的一较佳实施例示意图，抛光垫20具有一 抛光面21，并具有至少一沟槽22设该抛光面21上，其中沟槽22具有一 槽口 221与一槽底222，如图2的a-a'的剖面线的图3A所示，其特征在 于抛光面21的槽底222的宽度为0mm。图3A为本技术抛光垫的沟槽的一较佳实施例示意图，此抛光垫 20的槽口 221至槽底222之间具有至少一断面223，且槽口 221与槽底 222具有不同的宽度，其中断面223与断面223之间具有至少一转折以形 成一夹角，因此部份断面223可为一垂直于槽底222的平面，部分断面 223则可为一不垂直于槽底222的斜面。图3B为本技术抛光垫的沟槽的另一较佳实施例示意图，此抛光 垫20的槽口 221至槽底222之间具有至少一断面223，且槽口 221与槽 底222具有不同的宽度，其中断面223大致呈一V型，故此断面223为 一不垂直于槽底222的斜面。图3C为本技术抛光垫的沟槽的又一较佳实施例示意图，此抛光 垫20的槽口 221至槽底222之间具有至少一断面223，且槽口 221与槽 底222具有不同的宽度，抛光面21与断面223间具有至少一转折以形成 一夹角A1，其中夹角A1的角度为大约90度 大约120度。图3D为本技术抛光垫的沟槽的再一较佳实施例示意图，此抛光5垫20的槽口 221至槽底222之间具有至少一断面223，且槽口 221与槽 底222具有不同的宽度，其中断面223大致呈一U型，因此圆弧型槽底 将有助于抛光液的流动。本技术另提供一抛光垫的沟槽的再一较佳实施例，此抛光垫的 槽口至槽底之间具有至少一断面，且槽口 221与槽底222具有不同的宽 度，其中断面为一不规则的曲面。上述的抛光垫可另具有一接合面，用以接合于另一抛光垫的抛光面 上，以形成二层式的抛光垫。本技术所提供的抛光垫，其槽底的宽度为Omm的设计，除了可 避免研磨颗粒或抛光碎屑沉积于槽底，导致待磨物受沉积物的刮伤而受 损的外，其槽底的设计有助于抛光液的流动，因此不会累积过多的抛光 液于沟槽当中，可提供较佳的抛光效果。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并非用以限定本实用 新型的权利要求；同时以上的描述，对于熟知本
的专门人士应 可明了及实施，因此其它未脱离本技术所揭示的精神下所完成的等 效改变或修饰，均应包含在申请权利要求的范围中。权利要求1、一种抛光垫，该抛光垫具有一抛光面，具有至少一沟槽设于该抛光面上，其中该沟槽具有一槽口与一槽底，其特征在于，该抛光面的槽底的宽度为0mm。2、 如权利要求1所述的抛光垫， 该槽底之间具有至少一断面。3、 如权利要求2所述的抛光垫， 组合中选出一V型及一U型。4、 如权利要求2所述的抛光垫，有至少一转折以形成一夹角。5、 如权利要求2所述的抛光垫，具有至少一转折以形成一夹角。6、 如权利要求5所述的抛光垫， 度 120度。7、 如权利要求2所述的抛光垫，槽底的平面。8、 如权利要求2所述的抛光垫，该槽底的斜面。9、 如权利要求l所述的抛光垫， 该槽底具有不同的宽度。10、 如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，该抛光垫另具有一 接合面，用以接合于另一抛光垫的抛光面上。其特征在于，该抛光垫的该槽口至 其特征在于，该断面的构形由下列 其特征在于，该断面与该断面间具 其特征在于，该抛光面与该断面间 其特征在于，该夹角的角度为90 其特征在于，该断面为一垂直于该 其特征在于，该断面为一不垂直于 其特征在于，该抛光垫的该槽口与专利摘要本技术提供一种抛光垫，特别是涉及一种抛光垫的抛光面槽底的宽度为0mm的抛光垫。此抛光垫具有一抛光面，并本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抛光垫，该抛光垫具有一抛光面，具有至少一沟槽设于该抛光面上，其中该沟槽具有一槽口与一槽底，其特征在于，该抛光面的槽底的宽度为０ｍｍ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邱汉郎，陈少禹，郑裕隆，
申请(专利权)人：贝达先进材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]
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