在等离子处理应用中提供电性接触的方法与装置制造方法及图纸

一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置（１００）包括用以支撑晶片的晶片平台（１０６）以及多个电性接触元件（１２０），将多个电性接触元件（１２０）中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台（１０６）上的晶片（１０２）。并且将多个电性接触元件（１２０）作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域（１１４）（举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间）以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域（１１６）（举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体晶片处理技术，特别涉及一种在等离子处理应用 中提供电性接触的方法及装置。
技术介绍
等离子处理应用，例如等离子4参杂(plasma doping, PLAD),为半 导体装置中常用的处理方式。PLAD不但占地面积小于现有的束线植入机 (beam-line implanter),且其可于半导体植入处理中实现高生产量。图1A与图1B为PLAD的应用实例，藉由于等离子16中施加脉冲式 的直流电(direct current, DC)14，可对位于平台(platen) 12上的晶片 IO进行离子植入。在植入处理期间，平台或E型卡盘(E-chuck)12使晶 片IO保持向下，而弹性承载引脚(spring-loaded pin)18为晶片10提 供电性接触。藉由施加于晶片10的直流电(DC)或脉冲式直流偏压 (pulsed DC bias)来决定离子才直入能量，其中电压通常介于-O. 05至-50 kV之间的范围内。如图所示，电极20连接导体或板22 (举例来说，铝 板)而连接至直流偏压源14。对于特定的等离子成份与晶片IO基板材 料，直流脉冲14的电压会决定才直入物种的深本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支撑半导体晶片的背部的装置，适用于等离子处理应用期间，所述背部于几何学上定义出内部表面区域与外部环形表面区域，所述装置包括：　晶片平台，用以支撑所述晶片；以及　多个电性接触元件，将所述多个电性接触元件中的每个配置为提供通道， 所述通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于所述晶片平台上的所述晶片，将所述多个电性接触元件作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触所述内部表面区域以及至少一个电性接触元件接触所述外部环形表面区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：具本雄，史帝文R沃特，克里斯多夫J里维特，贾斯汀托可，玄盛焕，提摩太J米勒，杰T舒尔，阿塔尔古普塔，维克拉姆辛，戴文洛吉，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]