【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含稠合硒吩环的聚合物，涉及它们作为半导体或电 荷传输材料在光学、电光学或电子器件中的用途，和涉及包含它们的 光学、电光学或电子器件。背景和现有技术近年来越来越关注聚合物在电子应用中的用途。例如，有机聚合物已经表现出有望作为有机基薄膜晶体管和有机场效应晶体管(TFT， 0FET)中的活性层(参见H. E. Katz， Z. Bao和S. L. Gilat， Acc. Chem. Res., 2001, 34, 5， 359 )。此类器件在智能卡、安全标签和 平板显示器的开关元件中具有潜在应用。如果有机材料可以由溶液沉 积，由于这能够提供迅速的大面积制造途径，则设想有机材料与它们 的硅类似物相比，具有明显的成本优势。器件的性能主要基于半导体材料的栽流子迁移率和电流的开/关 比，因此理想的半导体应当在断路状态下具有低电导率，同时具有高 的载流子迁移率(>1 x 10-3cm2V-'s—')。此外，重要的是，该半导体材 料对于氧化相对稳定，即其具有高的电离电势，这是因为氧化导致器 件性能降低。已经报道了载流子迁移率为1 x l(T5-4. 5 ...
【技术保护点】
式Ⅰ的聚合物 ＊＊＊ 其中 Ｘ↑［１］和Ｘ↑［２］之一为Ｓｅ而另一个为Ｓ或Ｓｅ， Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］彼此独立地为选自以下的相同或不同的基团：Ｈ、卤素、－ＣＮ、－ＮＣ、－ＮＣＯ、－ＮＣＳ、－ＯＣＮ、－ＳＣＮ、－Ｃ（ ＝Ｏ）ＮＲ↑［０］Ｒ↑［００］、－Ｃ（＝Ｏ）Ｘ↑［０］、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ↑［０］、－ＮＨ↓［２］、－ＮＲ↑［０］Ｒ↑［００］、－ＳＨ、－ＳＲ↑［０］、－ＳＯ↓［３］Ｈ、－ＳＯ↓［２］Ｒ↑［０］、－ＯＨ、－ＮＯ↓［２］、－ＣＦ↓［３］、－ＳＦ↓［５］、Ｐ－Ｓｐ－、任选取代的甲硅烷基、或任选取代和任选包含一个或多个杂原子...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M希尼，张卫民，S蒂尔尼，I麦克洛奇，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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