【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及连接部件，如裸片和/或封装的集成电路芯片。本专利技术 还涉及用于产生多芯片系统的原型的工具和方法。
技术介绍
集成电路芯片是通过在构图层(patterned layer)上建立构图层的 复杂光刻过程来制造的。由于具有较精细光刻特征的电路比具有较粗 糙特征的电路更密集而且运行更快，因此，特征尺寸被推入了不可避 免瑕疵的领域。为了减少每平方厘米的瑕疵数量，在任意给定时刻仅 暴露晶片中的小区域以进行构图，使得整个暴露区域适配焦点中心附 近的最精确聚焦区。在暴露后，该区域包含遮蔽物的图像，该遮蔽物 被保持在所谓的"模版(reticle)"中；因此，晶片中的该区域被称作 模版图像(有时简称为"模版")。即使在模版图像的区域中，前边缘光刻过程将在所有层完成时使 若干瑕疵平均。由于具有模版图像的尺寸的芯片很可能包含至少一个 瑕疵，因此具有该尺寸的芯片的产率将会非常低。因此大多数芯片明 显小于模版，使得在丢失的光刻区域中，以可接受的成本丢弃每个瑕 疵周围的芯片。例如，如果在对芯片所需的数十个光刻层进行敷设所 需的数百个步骤之后，模版图像大小的区域平均有六个瑕疵，则...
【技术保护点】
一种其上能够附着多个部件的衬底，其中，所述衬底能够被可逆地电子编程以在指定部件触点之间建立信号传导互连，而没有使得这些互连通过附着至所述衬底的可重新编程的互连部件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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