本发明专利技术提供ＴＦＴ、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置。从第二源极.漏极电极（４）的电极线（４ａ）分支的支电极（４ｂ）与第一区域（Ｒ）开始交叉的部位（Ｄ）的第一区域（Ｒ）的外缘至电极线（４ａ）的距离（ｄ１）为５μｍ以上。由此实现具有能够容易地修复源极.漏极间的漏电的梳齿状的源极.漏极结构的ＴＦＴ。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在显示面板中以单片集成的方式制作的晶体管的结构。
技术介绍
近年来，在液晶面板上由非晶硅形成栅极驱动器以实现成本削减的栅极单片集成 化正在进行。栅极单片也称为无栅极驱动器(gate driver less)、面板内置栅极驱动器、栅 极置入面板等。因为使用非晶硅的TFT移动度小，所以需要大的驱动电压，为了利用扫描脉冲对 扫描信号线的配线电容进行充电，必须制作mm数量级、cm数量级这样相当大的沟道宽度的 TFT。图8是表示专利文献1所记载的这种TFT的结构的俯视图。该TFT由非晶硅制成， 包括栅极电极线310、漏极电极线330和源极电极线350。漏极电极线330由从栅极电极线310的外侧延伸的主体·漏极线332、从主体 (body) 漏极线332分支的手形(hand) 漏极线334和从手形·漏极线334垂直地分支的 指形(finger) 漏极线336构成。手形 漏极线334形成于未形成有栅极电极线310的区 域，指形·漏极线336形成于形成有栅极电极线310的区域。源极电极线350包括从栅极电极线310的外侧延伸的主体·源极线352、从主 体·源极线352分支的手形·源极线354和从手形·源极线354垂直地分支的指形·源极 线356。手形 源极线354形成于未形成有栅极电极线310的区域，指形 源极线356形成 于形成有栅极电极线310的区域。在上述TFT中，U字形状的指形·源极线356包围I字形状的指形·源极线336， 在两者之间形成有沟道。图9表示同样记载于引用文献1的一种结构，该结构能够作为U字形状的指形 源 极线356包围1个I字形状的指形·源极线336的部分TFT区域200使用。其中，在图9 中，由栅极电极线210、源极电极线230和漏极电极线240构成该部分TFT区域200并标注 附图标记。此外，栅极电极线210，在图8的结构中，沿手形·漏极线334和手形·源极线 354的延伸方向，在其它部分TFT区域200中也连续地延伸。在图9中，沟道宽度W以2XDL1+DL2表示，这是源极电极线230的该源极电极线 230与沟道区域的边界线的长度和漏极电极线240的该漏极电极线240与沟道区域的边界 线的长度的平均距离。此外，沟道长度L是源极电极线230的该源极电极线230与沟道区 域的边界线和漏极电极线240的该漏极电极线240与沟道区域的边界线之间的距离。在引 用文献1中，通过并列连接这样的多个部分的TFT区域200，使沟道宽度W非常大，并且将栅 极电极与漏极电极之间的寄生电容抑制得较小。专利文献1 日本国公开专利公报“特开2004-274050号公报(公开日2004年9 月30日)”专利文献2 日本国公开专利公报“特开2001-330853号公报(公开日:2001年11 月30日)”专利文献3 日本国公开专利公报“特开平3-50731号公报(公开日1991年3月 5 曰)，，专利文献4:日本国公开专利公报“特开平2-277027号公报(公开日1990年11 月13日)”
技术实现思路
但是，如专利文献1所记载的那样，在现有的具有梳齿状的源极·漏极结构的TFT 中存在如下所述的问题，即，只要源极电极与漏极电极之间任一个部位发生漏电，就会导致 整个TFT的特性异常。例如，如图10(a)所示，在栅极电极线101上方的区域，源极电极线102的1个指 形·源极线102a与漏极电极线103的1个指形 漏极线103a由于工序不良情况等发生短 路的情况下，源极电极线102整体与漏极电极线103整体发生短路，因此TFT整体变得不正 常地动作。但是，在这种情况下，只要利用激光熔断将短路的指形·漏极线103a在点P从 漏极电极线103的主体分离，便能够正常使用TFT整体。但是，在现有的TFT，因为从漏极电极线103的主体至栅极电极线101上方的区域 的距离较小，所以当想要将指形·漏极线103a激光熔断时，激光·光点的范围会达到设置 于栅极电极线101上方的区域的层。图10(b)表示在图10(a)中截面通过指形·漏极线103a的延伸方向中心的C_C’ 线剖视图。在该截面结构中，在玻璃基板100上，层叠有栅极电极线101、栅极绝缘膜105、i 层(半导体层)106、n+层107、源极电极线102、漏极电极线103、指形 漏极线103a和钝化 膜108。当栅极电极线101为x-x’的宽度时，i层106和n+层107的层叠体具有超出x_x’ 的区域的y_y’的宽度。当设指形·漏极线103a与漏极电极线103的主体的连接位置为ζ 时，如果仅在χ’ -ζ的范围大致瞄准而照射激光·光点，激光·光点便会直接照射i层106 与η+层107的层叠体。如果该层叠体由于激光照射而损伤，则因为该层叠体与相邻的部分 TFT区域连接，所以损伤热会进一步向相邻区域传递。其结果是，会损伤包括该相邻的部分 TFT区域的广范围的TFT区域。此外，例如，即使使激光·光点偏移至y’ -Z的范围，也因为y’ -Z的范围较窄，并 且在χ’ -ζ的范围内在层结构上存在ym数量级的大的阶差，所以，即使光学系统具有焦点 深度，也难以将该范围的两端位置同时正确地光学聚焦，从而难以高清晰度地对准激光 光 点的瞄准位置。这样，在现有的长沟道宽度TFT中，难以修复源极 漏极间的漏电。如果不能修复 该漏电，则整个显示面板成为不良品，因此，在制造上也会导致大的损害。本专利技术是鉴于上述现有的问题点而完成的，其目的在于，实现一种TFT和设置有 该TFT的移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路以及显示装置，其中，该TFT具备能够 容易地修复源极·漏极间的漏电的梳齿状的源极·漏极结构。为了解决上述问题，本专利技术的TFT设置有栅极电极、第一源极 漏极电极和第二源极 漏极电极，上述第一源极 漏极电极和上述第二源极 漏极电极中的一方为源极电极 且另一方为漏极电极，该TFT的特征在于以在膜厚方向隔着绝缘膜与上述栅极电极相对 的方式设置有使用半导体材料的i层和依次层叠有上述i层与n+层的层叠体，上述第一源 极 漏极电极配置在第一区域内的上述n+层上，上述第一区域是设置有上述i层的面板面 内的区域，上述第二源极 漏极电极包括设置于上述第一区域外的电极线；和从上述电极 线分支延伸的多个支电极，各上述支电极从上述电极线延伸至上述第一区域内的上述n+层 上，在上述第一源极 漏极电极与位于上述第一区域内的上述支电极之间，该第一源极 漏 极电极在面板面内方向夹着在上述第一区域中以不存在上述n+层的方式形成的上述i层 的图案，上述支电极与上述第一区域开始交叉的第一部位的上述第一区域的外缘，相比于 上述支电极与在膜厚方向观看上述栅极电极时的上述栅极电极区域开始交叉的第二部位 的上述栅极电极的外缘，位于上述电极线一侧，或者，上述第一部位的上述第一区域的外缘 与上述第二部位的上述栅极电极的外缘位于相同的位置，作为从上述第一部位的上述第一 区域的外缘至上述电极线的距离的第一距离为5 y m以上。根据上述专利技术，从支电极与第一区域开始交叉的第一区域的外缘至电极线的第一 距离设定为5 y m以上。因此，在第一源极 漏极电极与第二源极 漏极电极的支电极相互 漏电的情况下，能够在支电极上以容易地远离第一区本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ，其设置有栅极电极、第一源极.漏极电极和第二源极.漏极电极，所述第一源极.漏极电极和所述第二源极.漏极电极中的一方为源极电极且另一方为漏极电极，该ＴＦＴ的特征在于：以在膜厚方向隔着绝缘膜与所述栅极电极相对的方式，设置有使用半导体材料的ｉ层和依次层叠有所述ｉ层与ｎ↑［＋］层的层叠体，所述第一源极.漏极电极配置在第一区域内的所述ｎ↑［＋］层上，所述第一区域为设置有所述ｉ层的面板面内的区域，所述第二源极.漏极电极包括：设置于所述第一区域外的电极线；和从所述电极线分支延伸的多个支电极，各所述支电极从所述电极线延伸至所述第一区域内的所述ｎ↑［＋］层上，在所述第一源极.漏极电极与位于所述第一区域内的所述支电极之间，该第一源极.漏极电极在面板面内方向夹着在所述第一区域中以不存在所述ｎ↑［＋］层的方式形成的所述ｉ层的图案，所述支电极与所述第一区域开始交叉的第一部位的所述第一区域的外缘，相比于所述支电极与在膜厚方向观看所述栅极电极时的所述栅极电极的区域开始交叉的第二部位的所述栅极电极的外缘，位于所述电极线一侧，或者，所述第一部位的所述第一区域的外缘与所述第二部位的所述栅极电极的外缘位于相同的位置，作为从所述第一部位的所述第一区域的外缘至所述电极线的距离的第一距离为５μｍ以上。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中信也，菊池哲郎，今井元，北川英树，片冈义晴，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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