【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请通常涉及电子封装，以及特别涉及高温、高压SiC半导体电子封装。
技术介绍
至少大多数电子供应商利用转移模塑来封装似门的器件。首先，因为##模塑对于电子器件明显地具有较少的坏处。转移模塑工艺不会带走(sweep) 引线(剥掉连翻夺被封^L件的引线)。相对地，注才莫^^建立用于器^Nt装的 极其严格的环境。;封莫工艺在极其高的速度和压力下在材^i7^期空的位置注 入非导电材料。典型但并非总是如此，注模(工艺)在模塑时会带走(swe印) 引线(从芯片剥离该引线)。在典型的电子封装中，当器件的功率循环她时， 该^t常是由于引线键合脱离了管芯或小片而引起的。
技术实现思路
本专利技术实现了被设计为封装用于硅碳化物芯片的硅碳化物分离元件的电 子封装的技术 性。本专利技术的一个实施例适合于允许数千个功率循环和/或 ^-55。C到300。C的温JL循环。由于使得芯片散热的高热导性以及高温模塑 材料的^JU，本专利技术i^:许300。C处的连续工作。可设计该电子封^^封装 中叙内多个互连芯片。内部电介质能够耐受例如1200V,以及可能高至20000 伏特的高压。另夕卜，通过消...
【技术保护点】
一种高温、高压ＳｉＣ无空隙电子封装，包括： 适于提供功率开关的管芯； 适于电绝缘该管芯的陶瓷衬底； 至少一个配置在该衬底上的电子元件； 适于提供到该电子封装中的电子元件的电连通的刻蚀连接件，由此允许该电子封装被注模； 适于提供该刻蚀连接件和该电子封装的引线的电连通的导电焊垫；以及 高温注模化合物，其封装该电子元件和该刻蚀连接件并形成无空隙电子封装，以及提供多个功率循环，和／或多个温度循环。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：T奥特莱，SG凯利，
申请(专利权)人：美高森美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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