下载高温、高压SiC无空隙电子封装的技术资料

文档序号:5484313

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一种被设计为封装用于硅碳化物芯片的硅碳化物分离元件的电子封装。该电子封装允许数千个功率循环和/或介于-550℃到3000℃的温度循环。由于使得从芯片散热的高热导性,本发明还容许3000℃处的连续工作。可设计该电子封装来在封装中容纳多个互连芯...
该专利属于美高森美公司所有,仅供学习研究参考,未经过美高森美公司授权不得商用。

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