用于生产太阳能电池的方法技术

从Ｐ－型掺杂的单晶或多晶硅锭通过切割出多个晶片并且施加一种Ｎ－型掺杂来生产太阳能电池。通过利用氟、碳酰氟或ＮＦ３对这些晶片进行蚀刻（尤其在一种等离子体辅助的方法中）可以使它们得到改进。由此使表面变粗糙以降低光反射的程度、阻止由切割操作所造成的裂纹的增长、并且除去由磷掺杂所引起的类似玻璃的含磷氧化物涂层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术要求2008年1月23日提交的美国临时专利申请号61/022958的权益，其 全部内容通过引用结合在此，本专利技术涉及用于生产太阳能电池的一种方法。在本专利技术的另 一方面，本专利技术涉及用于生产平板的一种方法。太阳能电池用于将太阳光转化成电流。它们通常是从整块材料中通过切出希望尺 寸的晶片从硼掺杂的硅(P-型掺杂)的单晶块料或从铸造硅锭(多晶硅，用硼掺杂的P-型) 进行生产。然后，形成用磷掺杂的一层硅以提供一种N-型掺杂的涂层。例如，该晶片可以 与P0C13接触。然后，施加接触电极，例如通过将金属蒸发到电池的表面上。然后将几个对 应的太阳能电池安排为形成一种太阳能电池板。如果希望的话，该电池还可以包含其他掺 杂剂，例如铜，如US-A 4249957所描述。以这种方式生产的电池仍可具有一些缺点。例如，表面应该是非反射性的，因为于 是可以更好地吸收光。这些晶片可能具有来自该切割过程的裂纹。在掺杂磷的过程中，可能 形成不希望的一个含磷的玻璃状的层。这由J. Rentsch，D. Decker,Μ. Hofmann，H. Schlemm, K. Roth 以及R. Preu,在标题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法，该方法包括用蚀刻气体蚀刻该晶片的步骤，该蚀刻气体包含碳酰氟、氟、或三氟化氮、或它们的混合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔塞洛里瓦，
申请(专利权)人：苏威氟有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]