有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管制造技术

本发明专利技术涉及有机薄膜晶体管，其至少在基板上设置有栅电极、源电极以及漏电极这３个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过向栅电极施加电压来控制源电极－漏电极间电流，所述有机半导体层含有中心具有芳香族杂环基的特定有机化合物。本发明专利技术还涉及在有机薄膜晶体管中利用流过源电极－漏电极之间的电流获得发光并通过向栅电极施加电压来控制发光的有机薄膜发光晶体管，从而提供响应速度快且开／关比大的有机薄膜晶体管以及利用该有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有有机半导体层的有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶 体管，特别涉及含有具有高迁移率的化合物且能高速动作的有机薄膜晶体 管和将其用作发光元件的有机薄膜发光晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)广泛用作液晶显示装置等的显示用开关元件。图 2所示为代表性的TFT的剖面结构。如该图所示，TFT中，在基板上依次 具有栅电极和绝缘体层，在绝缘体层上具有空开规定间距而形成的源电极 和漏电极。在包含两电极的一部分表面且在电极间露出的绝缘体层上，形 成半导体层。在这种结构的TFT中，半导体层形成通道区域，利用施加于 栅电极的电压来控制流过源电极和漏电极间的电流，进行开/关动作。目前，该TFT利用无定形或多结晶的硅来制作，但存在以下问题，即 在这种使用硅的TFT的制作中采用的CVD装置非常昂贵，随着使用了 TFT 的显示装置等的大型化，生产成本会大幅增加。另外，还存在如下问题， 即由于无定形或多结晶的硅的成膜工序在非常高的温度下进行，因此能 作为基板使用的材料的种类受到限制，无法使用轻量的树脂基板等。为了解决上述问题，有人提出了使用有机物来代替无晶形或多结晶的 硅的TFT。作为用有机物形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管，　其为至少在基板上设置有栅电极、源电极及漏电极这３个端子、绝缘体层和有机半导体层且通过向栅电极施加电压来控制源电极－漏电极之间电流的有机薄膜晶体管，　其中，所述有机半导体层含有具有下述通式（ａ）的结构的有机化 合物，　＊＊＊　（ａ）　式中，Ａ是碳原子数为１～６０的２价芳香族杂环基，Ｒ↓［１］～Ｒ↓［１０］分别独立地表示氢原子、卤原子、氰基、碳原子数为１～３０的烷基、碳原子数为１～３０的卤代烷基、碳原子数为１～３０的烷氧基、碳原子数为 １～３０的卤代烷氧基、碳原子数为１～３０的烷基硫基、碳原子数为１～３０的卤代烷基硫基、碳原子数...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤雅俊，中野裕基，中村浩昭，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]