利用直线加速器的厚层转移的方法和结构技术

一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、Ⅲ／Ⅳ族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及利用层转移技术形成衬底(substrate)的方 法和结构的冲支术。更具体地，本专利技术的方法和系统提供了利用直线 加速器工艺制造用于包括光伏电池的多种应用的自支撑(free standing )厚半导体膜的方法和系统。^旦是可以认识到本专利技术具有更 广泛的可应用性；其也可以应用于其他类型的应用，如三维封装集 成半导体器件、光子或光电子器件、压电器件、平板显示器、微机 电系统("MEMS")、纳米技术结构、传感器、致动器、集成电路、 生物和生物医学装置等。(如单晶硅锭)中剥离(cleaving)自支撑膜的方法和设备的技术。这样 的自支撑膜可用作光伏材料，如太阳能电池。1"旦可以"i人TX到，本发 明的实施方式具有更广泛的可应用性；其也可应用于其4也类型的应 用，如三维封装集成半导体器件、光子器件、压电器件、平板显示器、樣i机电系统("MEMS")、纳米4支术结构、传感器、致动器、 集成电路、生物和生物医学装置等。
技术介绍
人类自始就依靠"太阳"获得几乎所有有用形式的能量。这样 的能量来自石油、辐射、木材、和多种形式的热能。〗又作为实例， 人类严重依靠石油资源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用一个或多个半导体衬底制造自支撑材料厚度的方法，包括：　提供具有表面区和厚度的半导体衬底；　使所述半导体衬底的所述表面区经受用直线加速器产生的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，所述剥离区被设置在所述表面区 下面以限定待分离材料的厚度，所述半导体衬底被保持在第一温度；　使所述半导体衬底经受处理工序；　使所述半导体衬底的所述表面区经受用直线加速器产生的第二多个高能粒子，所述第二多个高能粒子设置为将所述剥离区的应力水平从第一应力水平提高 到第二应力水平，所述半导体衬底被保持在第二温度；以及　用剥离工艺释放所述可分离材料的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰乔斯J亨利，艾伯特拉姆，巴巴克阿迪比，
申请(专利权)人：硅源公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]