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一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、Ⅲ／Ⅳ族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离...
该专利属于硅源公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅源公司授权不得商用。

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