单晶硅生长炉加热控制装置制造方法及图纸

技术编号:5455660 阅读:197 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种单晶硅生长炉加热控制装置,包括生长炉加热控制电磁阀,其特征在于:所述控制装置设有220V延时电路和降压电路,220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连通。上述单晶硅生长炉加热控制装置具有节能、使用寿命长的特点。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及的是一种单晶硅生产设备,特别涉及的是一种单晶硅生长炉加热 控制装置的改进。
技术介绍
传统的太阳能单晶硅生长炉的加热由电磁阀进行控制,电磁阀的工作电压为 220V,由于工作电压较高,所以传统的太阳能单晶硅生长炉加热控制装置耗能较大,其电磁 阀的使用寿命较短,一般在1年左右(以工作60小时停10小时周期计算)。
技术实现思路
鉴于目前公知技术存在的问题,本技术要解决的技术问题是在于提供一种具 有节能、使用寿命长特点的单晶硅生长炉加热控制装置。为解决上述技术问题,本技术是采取如下技术方案来完成的单晶硅生长炉加热控制装置,包括生长炉加热控制电磁阀,其特征在于所述控制 装置设有220V延时电路和降压电路,220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连 通。所述降压电路降压后的电压为110V。本技术的有益效果是设备通电后首先220V延时电路投入工作,电磁阀的吸 合动作电压为220V,电磁阀吸合后,单晶硅生长炉的加热器就可投入工作,当生长炉加热器 正常工作后,220V延时电路延时断开,同时降压电路投入工作,降压电路降压后的电压只有 Iiovaiov电压就能使电磁阀维持吸合状态,有效地降低电磁阀的吸合功率,产生了节能的 效果,另外,由于电磁阀吸合功率变小,所以产生的热能变小,电磁阀的使用寿命得以提高, 在相同使用时间(以工作60小时停10小时周期计算)内,电磁阀的使用寿命可以达到2年 以上,是以前的2倍多。附图说明本技术有如下附图。图1为本技术的工作原理框图。图2为本技术的电路图。具体实施方式附图表示了本技术的技术方案及其实施例,下面再结合附图进一步描述其实 施例的各有关细节及其工作原理。参照附图1,该种单晶硅生长炉加热控制装置,包括生长炉加热控制电磁阀3, 220V延时电路1和IlOV降压电路2,220V延时电路和IlOV降压电路分别与加热控制电磁 阀连通。附图2表示的是实施本技术的一种电路图,包括点动按钮SB1、SB2、中间继电器KA、KM、延时继电器KT及变压线圈4,OB间电压220V,0A间电压110V,电磁阀3通过KMl 连通220V电压电路,通过KM2连通IlOV电压电路。 本技术工作过程是这样的按下SB2,KA通电,触头KA1、KA2、KA3、KA4全部闭 合,KM、KT导通,KMl闭合,电压电磁阀导通220V电路,电磁阀的吸合动作电压为220V,电 磁阀吸合后,单晶硅生长炉的加热器就可投入工作,接着KT延时3-5秒后动作,KTl断开, KM同时断开,于是KMl恢复断开,KM2闭合,电磁阀导通IlOV电压电路,IlOV电压使电磁阀 维持吸合状态,有效地降低电磁阀的吸合功率,产生了节能的效果,另外,由于电磁阀吸合 功率变小,所以产生的热能变小,电磁阀的使用寿命得以提高。权利要求1.单晶硅生长炉加热控制装置,包括生长炉加热控制电磁阀,其特征在于所述控制 装置设有220V延时电路和降压电路,220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连ο2.如权利要求1所述的单晶硅生长炉加热控制装置,其特征在于所述降压电路降压 后的电压为110V。专利摘要本技术公开了一种单晶硅生长炉加热控制装置,包括生长炉加热控制电磁阀,其特征在于所述控制装置设有220V延时电路和降压电路,220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连通。上述单晶硅生长炉加热控制装置具有节能、使用寿命长的特点。文档编号C30B15/20GK201842898SQ20102059909公开日2011年5月25日 申请日期2010年11月9日 优先权日2010年11月9日专利技术者孙庆真, 李国迪, 蒋明霞 申请人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶硅生长炉加热控制装置,包括生长炉加热控制电磁阀,其特征在于:所述控制装置设有220V延时电路和降压电路,220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孙庆真李国迪蒋明霞
申请(专利权)人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:33[]

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