信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶技术

本发明专利技术提供在记录层的厚度为３ｎｍ左右的非常薄的情况下记录信息时的记录灵敏度高、且消除性能也好的信息记录介质。在通过照射光或施加电能而能记录信息的信息记录介质（１５）中，至少具有引起相变化的记录层（１０４），记录层（１０４）将选自Ｚｎ、Ｓｉ和Ｃ中的至少一种元素和Ｓｂ含有共计８５原子％以上，优选其组成以组成式Ｓｂ↓［１００－ａ１］Ｍ１↓［ａ］（原子％）（其中，Ｍ１为选自Ｚｎ、Ｓｉ和Ｃ中的至少一种元素，ａ１表示以原子％表示的组成，并且满足０＜ａ１≤５０。）来表示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光学或电性地记录、消除、重写及/或再生信息的信息记录介质以其制造方法、以及能用于制造该信息记录介质的溅射靶。
技术介绍
作为现有的信息记录介质，有利用其记录层(相变化材料层)发生相变化的现象的相变化型信息记录介质。作为该相变化型信息记录介质之一，有使用激光束光学地将信息记录、消除、重写、再生的信息记录介质(以下有时简单称为光学信息记录介质)。在光学信息记录介质中，记录信息是通过利用照射激光束所产生的热使记录层的相变化材料在例如结晶相和无定形相之间发生状态变化来进行的。记录后的信息通过检测结晶相和无定形相之间的反射率差而读取。进而，作为光学信息记录介质之一，有能消除和重写信息的重写型信息记录介质。通常，记录层的初始状态为结晶相。记录信息时，照射高功率(记录功率)的激光束熔融记录层后，急剧冷却，由此使激光照射部转化为无定形相。另一方面，消除信息时，照射比记录时低的功率(消除功率)的激光束，将记录层升温后慢慢冷却，由此使激光照射部转化为结晶相。因此，在重写型信息记录介质中，通过对记录层照射在高功率水平和低功率水平之间进行功率调制的激光束，能边消除被记录的信息边记录或重写新信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息记录介质，　其是通过照射光或施加电能而能够记录信息的信息记录介质，其中，　至少具有能发生相变化的记录层，　所述记录层将选自Ｚｎ、Ｓｉ以及Ｃ中的至少一种元素和Ｓｂ共计含有８５原子％以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西原孝史，儿岛理惠，山田升，松永利之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]