在基片上组装元件的方法技术

一种在基片上组装元件的方法，和在基片上结合元件的组件。该方法包括：形成具有光学特性的自支撑元件；在基片或自支撑元件上提供第一结合物质的图案；以及通过借助于第一结合物质的结合相互作用在基片上形成结合元件的步骤；其中结合元件显示与自支撑元件相比基本上相同的光学特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术广义地涉及，在基片上结合元件的组件，传感器 结构和制造该传感器结构的方法，以及发光装置和制造该发光装置的方法。
技术介绍
从单独的微型元件产生集成光学器件在过去是耗时的，并且经常需要人工密集型 方法。减少这些困难的尝试已经出现了一些更机械化的工艺，这些工艺集中在借助于流体 自组装(fluidic self-assembly)或基于晶片-晶片传送的方法的组件。所有这些工艺的 关键点是作为与光学元件配套的带有精确的蚀刻孔的专门制备的“受体”的基片，或需要同 等严格的光刻对准(photolithographic alignment)和/或掩蔽(masking)的基片。目前 用于集成光学元件的工艺受到相容基片(例如硅、二氧化硅、砷化镓)的有限数目的约束。理想地，光学设计者不应该受到制造工艺的限制。例如，应该能够将III-V族光源 和检测器，与Si基光子晶体、调制器和/或微反射镜，与SiO2波导，以及非线性光学器件集 成在任何基片上。光集成电路的功能和/或复杂性应该不会受基片的约束。“应变层外延(Strained layer印itaxy) ”用来集成具有相异晶格结构的半导体， 诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基片上组装元件的方法，该方法包括以下步骤：　　形成具有光学特性的自支撑元件；　　在所述基片或所述自支撑元件上提供第一结合物质的图案；以及　　通过借助于所述第一结合物质的结合相互作用在所述基片上形成结合元件；　　其中所述结合元件显示与所述自支撑元件相比基本上相同的光学特性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂尔博金，约翰贾斯廷古丁，克里斯托弗A基利安，迈克尔盖尔，卡塔琳娜高斯，彼得约翰里斯，洪乔，
申请(专利权)人：新南创新私人有限公司，
类型：发明
国别省市：AU