【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抛光组合物及使用其抛光基板的方法。更具体而言，本专利技术
技术介绍
半导体晶片通常包括其上已形成了多个晶体管的基板，诸如硅或砷化 镓。通过将基板中的区域及基板上的层图案化而将晶体管化学和物理连接到 基板。晶体管和层通过主要包含某种形式的二氧化硅(Si02)的层间电介质(ILD)隔开。晶体管通过使用公知的多级互连而互相连接。典型的多级互连 包含由下列材料中的一种或多种所組成的堆叠薄膜钛(Ti)、氮化钛(TiN)、 钽(Ta)、铝-铜(Al-Cu)、铝-硅(Al-Si)、铜(Cu)、钨(W)、经掺杂的多晶硅(poly-Si)、 及其各种组合。另外，通常通过使用以绝缘材料诸如二氧化硅、氮化硅和/或多晶硅填充的沟槽将晶体管或晶体管组彼此隔离。用于半导体基板表面的化学-机械抛光(CMP)的组合物及方法在本领域 中是公知的。用于半导体基板(例如集成电路)表面的CMP的抛光组合物(也 称为抛光浆料、CMP浆料及CMP组合物)通常含有研磨剂、各种添加剂化 合物及其类似物。通常，CMP包括上覆第一层的同时发生的化学及机械抛光以暴露其上 形成有该第 一层的非平面的第二...
【技术保护点】
一种化学－机械抛光（ＣＭＰ）组合物，包含： （ａ）胶态二氧化硅； （ｂ）选自鏻盐、锍盐、及其组合的至少一种鎓化合物； （ｃ）为此的含水载体； 该组合物具有５或更小的ｐＨ值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.8 US 11/517,9091. 一种化学-机械抛光(CMP)组合物，包含(a)胶态二氧化硅；(b)选自鏻盐、锍盐、及其组合的至少一种鎓化合物；(c)为此的含水载体；该组合物具有5或更小的pH值。2. 权利要求1的CMP组合物，其中该胶态二氧化硅以在0.05重量％至35重量％范围内的量存在于该组合物中。3. 权利要求1的CMP组合物，其中至少一种鐵盐以在0.04至200微摩尔每克组合物的范围内的量存在于该组合物中。4. 权利要求1的CMP组合物，其中所述至少一种鑰化合物包括具有下式的鳞盐<formula>formula see original document page 2</formula>其中R1、 R2、 R3及R4各自独立地为选自直链C广C!6烷基、支链CVd6烷基、CVdo芳基、经直链d-Q6烷基取代的CVCu)芳基、以及经支链CVd6烷基取代的C6-Cu)芳基的取代或未取代的烃基，其中该烃基可任选地被一个或多个选自羟基取代基、闺取代基、醚取代基、酯取代基、羧基取代基、以及氨基取代基的官能取代基取代；任选地，R'与W可一起形成具有磷P的饱和杂环、不饱和杂环或芳族杂环，条件为当该杂环为芳族杂环时，R不存在；且X-为无机酸或有机酸的共轭碱。5.权利要求1的CMP组合物，其中所述至少一种鎿化合物包括具有下式的4t盐<formula>formula see original document page 2</formula>其中R5、 ！^及R 各自独立地为选自直链CH^6烷基、支链CVd6烷基、C6-Cu)芳基、经直链d-d6烷基取代的CVCu)芳基、以及经支链CrQ6烷基取代的CVCK)芳基的取代或未取代的烃基，其中该烃基可任选地被一个或多个选自羟基取代基、面取代基、醚取代基、酯取代基、羧基取代基、以及氨基取代基的官能取代基取代；任选地，W与W可一起形成具有硫S的饱和杂环、不饱和杂环或芳族杂环，条件为当该杂环为芳族杂环时，W不存在；且X-为无机酸或有机酸的共轭碱。6. 权利要求1的CMP组合物，其中该pH值在2至5的范围内。7. —种化学-机械抛光(CMP)组合物，包含(a) O.l重量％至10重量％的胶态二氧化硅；(b) 0.4至20微摩尔每克的至少一种鳞盐；(c) 为此的含水载体；该组合物具有5或更小的pH值。8. 权利要求7的CMP组合物，其中该胶态二氧化硅以在1重量％至6重量％范围内的量存在于该组合物中。9. 权利要求7的CMP组合物，其中至少一种鱗盐以在1至10 3效摩尔每克组合物的范围内的量存在于该组合物中。10. 权利要求7的CMP组合物，其中所述至少一种辚盐具有下式<formula>formula see original document page 3</formula>其中R1、 R2、 R 及P^各独立地为选自直链C广Cw烷基、支链C3-d6烷基、C6-d。芳基、经直链d-d6烷基取代的C6-do芳基、以及经支链CrC,6烷基取代的C6-...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·怀特，陈湛，
申请(专利权)人：迈克尔·怀特，陈湛，
类型：发明
国别省市：US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。