自发光显示装置及其制造方法、透明导电性薄膜、电致发光元件、太阳能电池用透明电极及电子纸用透明电极制造方法及图纸

技术编号:5436161 阅读:349 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种自发光显示装置(20),其具备:支撑体(12)、第1电极部(22) 和显示部(24),所述第1电极部(22)设置在该支撑体(12)上且具有由 导电性金属形成的细线结构部(14)和透光性的导电膜(16);所述显示部 (24)层叠在该第1电极部(22)上且具有发光层(26)。第1电极部(22) 的细线结构部(14)的体积电阻为10-4欧姆·cm以下及/或表面电阻为100 欧姆/sq以下,导电膜(16)的体积电阻为0.05欧姆·cm以上及/或表面 电阻为100欧姆/sq以上,在将进行弯曲试验前的第1电极部(22)的表 面电阻设定为R1、将进行了弯曲试验后的第1电极部(22)的表面电阻设 定为R2时,满足R2/R1<18。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有透光性高且表面电阻率低而且可挠性优良的电极部的 自发光显示装置及其制造方法、透光性高且表面电阻率低而且可挠性优良 的透明导电性薄膜、和采用了该透明导电性薄膜的电致发光元件、太阳能 电池用透明电极及电子纸用透明电极。再有,自发光显示装置也包括照明 用途的发光装置。
技术介绍
近来,在液晶显示器或有机、无机的电致发光元件、电子纸等中,作 为取出光的一侧的电极,采用具有透明导电性层的薄膜或玻璃基板(例如参照专利文献1 4)。这些透明导电性层一般是采用铟及锡的氧化物或锌的氧化物、锡的氧 化物等而形成的,但为了得到低电阻,必须形成厚而均匀的膜,其结果是, 存在光透射率下降、高成本化、形成工序中需要进行高温处理等问题,特 别是在薄膜上的低电阻化中存在界限。作为其改进对策,提出了在透明电极层中附加金属线等导电性成分的 提案(专利文献2)、或在透明电极层(透明阳极基板)中设置导电性金属 的总线的方法(专利文献1及3)、或者在透明电极层(上部电极)上设置 网格模样的金属线结构的方法(专利文献5)。通过蒸镀或溅射ITO (Indium Tin Oxide)膜等导电性金属、透明电极 层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自发光显示装置,其特征在于,具备: 支持体(12), 电极部(22),其设置在该支持体(12)上,且具有由导电性金属形成的细线结构部(14)和透光性的导电膜(16), 和显示部(24),其层叠在所述电极部(22)上且具 有发光层(26); 所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为10↑[-4]欧姆·cm以下及/或表面电阻为100欧姆/sq以下,所述导电膜(16)的体积电阻为0.05欧姆·cm以上及/或表面电阻为100欧姆/sq以上;   在将进行下述弯曲试验前的所述电极部(22)的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.28 JP 265001/2006;2007.3.28 JP 084868/2007;1、一种自发光显示装置,其特征在于,具备支持体(12),电极部(22),其设置在该支持体(12)上,且具有由导电性金属形成的细线结构部(14)和透光性的导电膜(16),和显示部(24),其层叠在所述电极部(22)上且具有发光层(26);所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为10-4欧姆·cm以下及/或表面电阻为100欧姆/sq以下,所述导电膜(16)的体积电阻为0.05欧姆·cm以上及/或表面电阻为100欧姆/sq以上;在将进行下述弯曲试验前的所述电极部(22)的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述电极部(22)的表面电阻设定为R2时,满足R2/R1<18;弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述电极部(22)弯曲100次,所述工序是将所述电极部(22)挂在相对于基座(30)旋转自如地安装的直径为4mm的辊(32)上,对所述电极部(22)的一个端部(34a)按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸,同时使所述辊(32)旋转,从而使所述电极部(22)弯曲的工序;和对所述电极部(22)的另一个端部(34b)按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸,同时使所述辊(32)旋转,从而使所述电极部(22)弯曲的工序。2、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于 所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为5X10—s欧姆'cm以下及/或表面电阻为50欧姆/sq以下,所述导电膜(16)的体积电 阻为0.5欧姆,cm以上及/或表面电阻为1000欧姆/ sq以上。3、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于 所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为2X10—5欧姆 cm以下及/或表面电阻为10欧姆/sq以下,所述导电膜U6)的体积电 阻为1欧姆,cm以上及/或表面电阻为10000欧姆/ sq以上。4、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于所述电极部(22)的所述导电膜(16)含有导电性材料。5、 根据权利要求4所述的自发光显示装置,其特征在于所述导电性材料含有透明导电性有机聚合物、或导电性微粒。6、 根据权利要求5所述的自发光显示装置,其特征在于所述导电性微粒是导电性金属氧化物、导电性金属微粒或碳纳米管。7、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的厚度即高度为lOm以下。8、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于所述细线结构部(14)的厚度即高度与所述导电膜(16)实质上相同。9、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于所述导电膜 (16)被设置在所述细线结构部(14)的上表面或下表面。10、 根据权利要求1所述的自发光显示装置,其特征在于所述电极 部(22)的光的透射率相对于550nm的光为70%以上。11、 根据权利要求l所述的自发光显示装置,其特征在于所述电极部(22)的所述细线结构部(14)由导电性金属银形成,该 导电性金属银是通过对在所述支持体(12)上至少具有含感光性银盐的层 (44)的感光层进行曝光、显影处理而形成的。12、 根据权利要求ll所述的自发光显示装置,其特征在于所述电极 部(22)的所述细线结构部(14)含有银,且Ag/粘合剂的体积比为...

【专利技术属性】
技术研发人员:德永司楠冈亮栗城匡志一木晃
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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