本发明专利技术提供气体透过性低、由模塑树脂导致的模具污染少、具有高脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。该脱模膜是一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，至少具有脱模性优良的脱模层（Ⅰ）和支持该脱模层（Ⅰ）的塑料支持层（Ⅱ），该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层（Ⅱ）在１７０℃下拉伸２００％时的拉伸强度为１ＭＰａ～５０ＭＰａ，且该脱模膜在１７０℃下的二甲苯气体透过性为５×１０↑［－１５］（ｋｍｏｌ.ｍ／（ｓ.ｍ↑［２］.ｋＰａ））以下。脱模层（Ⅰ）较好的是由乙烯／四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，塑料支持层（Ⅱ）较好的是由乙烯／乙烯醇共聚物形成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体树脂模塑(mold)用脱模膜，特别涉及模具随动性特 别优良且可降低模具污染的半导体树脂模塑用脱模膜。
技术介绍
通常，为了将半导体元件(芯片)从外部环境(外界气体、污染物质、光、 磁、高频波、冲击等)中保护、隔离起来，用树脂(模塑树脂)将其密封，以 将芯片收容于内部的半导体封装的形态安装于基板。具有代表性的是通过 传递成形而形成的半导体封装，所述传递成形是指将环氧树脂等热固性树 脂(模塑树脂)加热熔融后，移送并填充至安装有半导体芯片的模具内，使 其固化的成形。模塑树脂中，在添加固化剂、固化促进剂、填充剂等的同 时，为确保成形后的半导体封装的从模具中顺畅的脱模性，还添加有脱模 剂。另一方面，随着人们对半导体封装的大幅度的生产性提高的需求，存 在模塑树脂附着在模具上、需要频繁地清洗污染的模具的问题。此外，对 于可应对大型半导体封装的成形的低收縮性模塑树脂，存在即使添加脱模 剂也无法获得足够的脱模性的问题。因此，开发了使用树脂模塑用脱模膜 (以下也简称为"脱模膜")的技术，并取得了一定的成果(例如参照专利文 献1 3等)，该技术是在用脱模膜被覆模具的树脂成形部(模腔面)的状态 下将模塑树脂注入模具内，藉此在不使模塑树脂与模具的模腔面直接接触 的情况下形成半导体封装。然而，最近从应对环境问题的角度出发，半导体元件的封装中使用的 模塑树脂正逐渐变为非卤化模塑树脂。此外，为了应对半导体的细间距 (fine pitch)化、薄型化、叠层芯片封装化及适用于LED用途等，模塑树脂的低粘度化和液态树脂化更进了一层。因此，半导体元件的树脂模塑工4序中，来源于高温环境下的熔融模塑树脂的气体和低粘度物质的产生量增 大，并透过上述树脂模塑用脱模膜，因此气体和低粘度物质与高温的模具 接触，模具污染变得严重。此外，脱模膜在模具内表面的被覆是利用真空使该脱模膜吸附支持于 模具内表面来进行的，但是脱模膜中的低聚物等挥发性成分可能会迁移至 上述被吸附的模具侧，引起模具污染。即使是在如上所述使用脱模膜的情况下，安装有膜的一侧的模具也容 易被污染，此外， 一旦发生了污染，就会产生为了模具的清洗而不得不停 止半导体的模塑工序、使半导体的生产效率下降的问题。另外，从该角度来看，上述专利文献1 2中记载了为减少透过的污染 物质，在脱模膜的一面(与模具表面接触的面)形成金属或金属氧化物的蒸 镀层的技术方案。然而，该金属蒸镀层等是通过直接与模具表面物理性地 接触来使用的，金属粉末等易从膜表面或膜的切面剥离，其在半导体树脂 模塑工序中的使用受到限制。此外，专利文献1 2中，用二氧化碳气体的透过率来规定脱模膜的气 体透过性，但其作为评价来源于模塑树脂等的低粘度物质等的透过性的指 标并不妥当。另外，虽然脱模膜被要求与模塑树脂间具有与以往相比更高的脱模性， 但对于上述脱模膜，未就在模塑后的树脂表面产生脱模膜的脱模层的残渣 的问题作任何考虑，且存在脱模性不足的问题。此外，使用凹凸较大的形状的模具时，在进行树脂模塑前使脱模膜真 空吸附于模具，所以该脱模膜被要求具有模具随动性，模具随动性是指可 跟随模具的该凹凸充分延伸至与之对应的周长。专利文献1:日本专利特开2002-361643号公报(权利要求书(权利要 求1 权利要求3)，〔0002) (0028〕)专利文献2:日本专利特开2004-79566号公报(权利要求书(权利要求 1 权利要求3)〔0002〕 〔0015〕)专利文献3:日本专利特开2001-250838号公报(权利要求书(权利要 求1 6)〔0002〕 (0032〕)5专利技术的揭示本专利技术的目的是提供基于上述背景被强烈要求开发的、与以往相比气 体透过性足够低、由模塑树脂导致的模具污染少的半导体树脂模塑用脱模 膜。此外，本专利技术的目的是利用与作为模具污染物质的来源于树脂等的低 粘度物质更实际地对应的气体透过率来规定有效地抑制该模具污染的脱模 膜所必需的气体透过性。本专利技术的目的还包括提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的半导体树 脂模塑用脱模膜。本专利技术提供下述结构的半导体树脂模塑用脱模膜。 〔1〕 一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，该脱模膜至少具有脱 模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层(II)在17(TC下拉伸200%时的拉伸强度为 lMPa 50MPa，且该脱模膜在170。C下的二甲苯气体透过性为5X10— 15(kmol m(s m2 kPa))以下。(2〕上述(1〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模层(I) 由氟树脂形成。〔3〕上述〔2〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述氟树脂为乙 烯/四氟乙烯系共聚物。(4〕上述(1〕 〔3〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中， 所述塑料支持层(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。〔5)上述〔1〕 (4)中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中， 脱模层(I)的厚度为3 75um，塑料支持层(II)的厚度为1 700wra。(6)上述(1〕 〔4〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中， 所述脱模层(I)的厚度为6 30 u m，塑料支持层(II)的厚度为6 200 w rn。〔7〕上述(1〕 〔4)中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中， 所述脱模层(I)的厚度为6 30ura，塑料支持层(II)的厚度为10 100um。〔8〕上述〔1〕 (7)中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中， 所述脱模膜的至少一面被抛光加工。〔9〕上述(8)记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述被抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0. 01 3. 5 u m。〔10〕上述〔8〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述被抛光加工 的面的表面的算术表面粗糙度为0. 15 2.5iim。〔11〕上述〔1〕 〔8)中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模层(I)和所述塑料支持层(II)之间具有粘接层，且脱模层(I)的被粘接的一侧的表面进行过表面处理。利用本专利技术，可提供与以往相比气体透过性足够低、由模塑树脂导致的模具污染少的半导体树脂模塑用脱模膜。此外，本专利技术中，利用与作为 模具污染物质的来源于树脂等的低粘度物质更实际地对应的气体透过率来规定有效地抑制该模具污染的脱模膜所必需的气体透过性。利用本专利技术， 还可提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的脱模膜。此外，本专利技术的脱模 膜的模具随动性优良。所以，通过使用本专利技术的脱模膜，半导体的树脂模塑工序中的模具污 染少，可充分地减少模具清洗次数，因此能使半导体元件的树脂模塑工序 的生产效率获得相当程度的提高。对附图的简单说明附图说明图1是表示本专利技术的半导体树脂模塑用脱模膜的基本的层结构的说明图。图2是构成本专利技术的半导体树脂模塑用脱模膜时的说明图。图3是表示本专利技术的半导体树脂模塑用脱模膜的其它层结构的说明图。符号说明1:半导体树脂模塑用脱模膜I:脱模层II:塑料支持层a:脱模层的与塑料支持层粘接的面实施专利技术的最佳方式下面，详细说明本专利技术。本专利技术的半导体树脂模塑用脱模膜1基本上如图1所示，其特征在于， 至少由脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)构 成。(脱模层(I))本专利技术的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，该脱模膜至少具有脱模性优良的脱模层（Ⅰ）和支持该脱模层（Ⅰ）的塑料支持层（Ⅱ），其特征在于，所述塑料支持层（Ⅱ）在１７０℃下拉伸２００％时的拉伸强度为１ＭＰａ～５０ＭＰａ，且该脱模膜在１７０℃下的二甲苯气体透过性为５×１０↑［－１５］（ｋｍｏｌ.ｍ／（ｓ.ｍ↑［２］.ｋＰａ））以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥屋珠生，有贺广志，樋口义明，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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