Ⅳ族纳米颗粒结以及由其构成的设备制造技术

在此披露一种用于从太阳辐射发电的设备。所述设备包括掺杂有第一掺杂剂的晶片，所述晶片包括前侧和背侧，其中所述前侧被配置为暴露于太阳辐射。所述设备还包括所沉积在所述前侧上熔融的ＩＶ族纳米颗粒薄膜，其中所述纳米颗粒薄膜包括第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂是反向掺杂剂。所述设备还包括沉积在所述纳米颗粒薄膜上的第一电极，以及沉积在所述背侧上的第二电极，其中当太阳辐射施加于所述前侧上时，产生电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本披露总体上涉及纳米颗粒，并且具体地涉及IV族纳米颗粒结以及由其构成的 设备。
技术介绍
半导体形成现代电子学的基础。由于具有可以选择性地在导电与绝缘之间进行改 变和控制的物理特性，半导体在大多数现代电子设备(例如，计算机、蜂窝式电话、光伏电 池等等)中是必不可少的。IV族半导体一般是指周期表第四列的那些元素(例如，碳、硅、 锗等)。一般而言，固体半导体易于以三种形式存在结晶的、多晶的以及无定形的。在结 晶的形式中，半导体原子定位于一种无晶粒边界的单一的不断裂的晶格之中。在多晶形式 中，半导体原子定位于许多较小的随机取向的微晶体之中(较小的晶体)。这些微晶体经常 被称作晶粒。在无定形的形式中，半导体原子表现为没有长程的位置顺序。导电一般是指带电载流子的运动，如电子或空穴(缺少电子)通过电磁场的运动。 金属易于具有大量可供使用的带电颗粒，而绝缘体几乎没有。在缺乏杂质(称作掺杂物)的情况下，半导体易于表现为绝缘体，从而抑制电流的 流动。然而，在添加相对小量掺杂剂之后，半导体的电学特性可以通过增加带电载流子数 量而急剧地变成导体。例如，在一个被称为光激励的过程中，所吸收的光一般将会产生电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从太阳辐射发电的设备，包括：掺杂有第一掺杂剂的晶片，所述晶片包括前侧和背侧，其中所述前侧被配置为暴露于太阳辐射；沉积在所述前侧上的熔融的Ⅳ族纳米颗粒薄膜发射极，其中所述纳米颗粒薄膜包括第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂是反向掺杂剂；沉积在所述纳米颗粒薄膜上的第一电极；以及沉积在所述背侧上的第二电极；其中，当太阳辐射作用于所述前侧上时，产生电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科姆阿博特，马克西姆克尔曼，弗朗切斯科莱米，安德烈亚斯迈泽尔，德米特里波普拉夫斯基，梅森特里，卡雷尔凡赫斯登，
申请(专利权)人：英诺瓦莱特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]