【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅氧烷树脂、硅氧烷组合物和涂布的基底相关申请的交叉参考根据35 U. S.C. §119(e)，本申请要求2006年7月27日提交的美国临时专利申请序列号No. 60/833, 647的权益，美国临时专利申请序列号No. 60/833， 647在此通过参考引入。专利
本专利技术涉及硅氧烷树脂，和更特别地涉及包括二曱硅烷氧烷基单元的硅氧烷树脂。本专利技术也涉及到包含硅氧烷树脂的硅氧烷组合物，和包括硅氧烷树脂的固化产物或氧化产物的涂布的基底。
技术介绍
由乙硅烷制备硅氧烷材料在本领域中已是众所周知的。例如，Chassot的美国专利736,971公开了生产在其分子中同时包含-Si-Si-和Si-O-Si-键的有机基硅树脂的方法，其包括使通式(CH3)mSinXP的有机基聚硅氧烷经历水解并且同时缩合，其中X代表可水解基团，n是大于1的整数，和m，p和n通过等式m+p=2n+2关联。Porte的美国专利4， 618， 666 7>开了包含乙硅烷重复单元的有机基硅树脂，其包括有机基氯硅烷和有机基氯乙硅烷的混合物在非均质溶剂介质中同时发生水解和缩合反应得到的反应产物。 A...
【技术保护点】
具有下述通式的硅氧烷树脂： ［Ｏ↓［（３－ａ）／２］Ｒ↑［１］↓［ａ］Ｓｉ－ＳｉＲ↑［１］↓［ｂ］Ｏ↓［（３－ｂ）／２］］ｖ（Ｒ↑［１］↓［３］ＳｉＯ↓［１／２］）ｗ（Ｒ↑［１］↓［２］ＳｉＯ↓［２／２］）ｘ（Ｒ↑［１］ＳｉＯ↓［３／ ２］）ｙ（ＳｉＯ↓［４／２］）ｚ其中各Ｒ↑［１］独立地是氢、烃基或取代的烃基；ａ是０、１或２；ｂ是０、１、２或３；０．０１≤ｖ＜０．３；ｗ为０－０．８；ｘ为０－０．９９；ｙ为０－０．９９；ｚ为０－０．９９；和ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。