对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物制造技术

本发明专利技术描述了对于相应含金属薄膜的ＣＶＤ／ＡＬＤ有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明专利技术的前体对于形成锗－锑－碲（ＧＳＴ）薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物、包含这样的复合物的组合物及利用这样的复合物和组合物将金属薄膜沉积于基板上的方法。
技术介绍
锑化物被用于红外检测器、高速数字电路、量子阱结构中，且近来与锗(Ge)及碲(Te)一起作为在利用锗-锑-碲(Ge2Sb2Te5)薄膜的相变硫属化物非易失性存储技术中的关键成分。 基于Ge-Sb-Te(GST)薄膜的相变随机存取存储(PRAM)设备利用与该薄膜材料的电阻率变化相关联的结晶态至非晶态的可逆转变。基于高速商业制造及性能的理由，期望薄膜材料本身是使用诸如化学气相沉积(CVD)及原子层沉积(ALD)的技术形成的。 尽管它们有希望，但在低温下通过CVD及原子层沉积ALD来生长可再现的高质量锑化物、Sb2Te3及GST薄膜的努力仍面临实质性的挑战。这些挑战包括以下方面 (1)目前仅可获得非常有限数量的锑CVD/ALD前体，其大多数基于烷基的化合物如Me3Sb、Et3Sb、(iPr)3Sb及Ph3Sb，或基于氢化物的化合物如SbH3，且这些前体存在包括低热稳定性、低挥发性、合成困难及高传递温度的各种缺陷； (2)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属复合物，选自化学式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及（Ｅ）（Ⅰ）－（Ｅ）（ⅩⅥ）的复合物：　Ｓｂ（ＮＲ↑［１］Ｒ↑［２］）（Ｒ↑［３］Ｎ（ＣＲ↑［５］Ｒ↑［６］）↓［ｍ］ＮＲ↑［４］）　（Ａ）　其中：　Ｒ↑［１］、 Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］及Ｒ↑［４］可彼此相同或不同，且独立地选自Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］环烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］烯基（例如，乙烯基、烯丙基等）、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］烷基硅烷基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基；　Ｒ↑［５］及Ｒ↑［６］各自可彼此相同或不同，且独立地选自氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基、Ｃ↓［３］...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉杭克斯，陈天牛，许从应，杰弗里F罗德，托马斯H鲍姆，梅利莎A彼特鲁斯卡，马蒂亚斯斯滕德，陈世辉，格雷戈里T施陶夫，布赖恩C亨德里克斯，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]