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本发明描述了对于相应含金属薄膜的ＣＶＤ／ＡＬＤ有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗－锑－碲（ＧＳＴ）薄膜及包含这样的薄...
该专利属于高级技术材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过高级技术材料公司授权不得商用。

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