具有自适应容量的存储设备制造技术

一种用于在包括多个模拟存储单元（３２）的存储器（２８）中进行数据存储的方法，包括估计模拟存储单元相应的可达到的存储容量。基于所估计的可达到的存储容量，将定义待要存储在存储单元中的数据量的相应的存储配置分配给该存储单元。根据相应的分配的存储配置，将数据存储在存储单元中。在所述存储器被安装在主机系统中并用于在该主机系统中存储数据之后，重新估计所述模拟存储单元的可达到的存储容量。响应于重新估计的可达到的容量，修改所述存储配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及存储设备，具体涉及具有自适应存储容量的存储 设备。
技术介绍
多种存储设备，例如闪存和动态随机存取存储器(DRAM)，使用模 拟存储单元阵列来存储数据。例如，在2003年4月在IEEE学报，第 91巻，第4期，第489-502页由Bez等人发表的"Introduction to Flash Memory"中，描述了闪存设备，该文献在此处以援引方式全部 纳入本文。在此类存储设备中，每个模拟存储单元通常包括一个晶体管，该 晶体管保持了一定数量的电荷，所述电荷表示存储在所述存储单元中 的信息。写入一特定存储单元的电荷影响所述存储单元的"门限电压"， 也即，需要施加电压到存储单元以使得所述存储单元可以导通电流。19一些存储设备，通常称为"单层单元"(SLC)设备，在每个存储单 元中存储单比特信息。通常，所述存储单元的可能的门限电压的范围 被分为两个区域。落入这两个区域中的一个区域的电压值代表比特值 "0"，而属于另一个区域的电压值代表"1"。更高密度设备，通常称 为"多层单元"(MLC)设备，每个存储单元存储两个或更多个比特。在 多层单元中，门限电压的范围被分为多于两个区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在存储器中进行数据存储的方法，该存储器包括多个模拟存储单元，所述方法包括：　估计所述模拟存储单元的相应的可达到的存储容量；　基于所估计的可达到的存储容量，为所述存储单元分配定义待要存储在该存储单元中的数据量的相应的存储配 置；　根据相应的分配的存储配置，将数据存储在所述存储单元中；以及　在所述存储器已经被安装在主机系统中并用于在该主机系统中存储数据之后，重新估计模拟存储单元的相应的可达到的存储容量，并且响应于所重新估计的可达到的容量，修改所述存储 配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：O沙尔维，D索科洛夫，A梅斯罗斯，Z科恩，E格吉，G西莫，
申请(专利权)人：爱诺彼得技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]