【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及存储设备，具体涉及使用纠错编码和失真估计来 改进存储设备的性能的方法和系统。
技术介绍
多种存储设备，例如闪存和动态随机存取存储器(DRAM)，使用模 拟存储单元阵列来存储数据。例如，在2003年4月在IEEE学报(91: 4) 第489-502页由Bez等人发表的"Introduction to Flash Memory" 中，描述了闪存设备，该文献在此处以援引方式全部纳入本文。在此类存储设备中，每个模拟存储单元通常包括一个晶体管，该 晶体管保持了一定数量的电荷，所述电荷表示存储在所述存储单元中 的信息。写入一特定存储单元的电荷影响所述存储单元的"门限电压"， 也即，需要施加电压到存储单元以使得所述存储单元可以导通电流。一些存储设备，通常称为"单层单元，，(SLC)设备，在每个存储单元中存储单比特信息。通常，所述存储单元的可能的门限电压的范围 被分为两个区域。落入这两个区域中的一个区域的电压值代表比特值"0",而属于另一个区域的电压值代表"1"。更高密度设备，通常称 为"多层单元"(MLC)设备，每个存储单元存储两个或更多个比特。在 多层单元...
【技术保护点】
一种用于操作存储设备的方法，包括： 使用纠错码（ＥＣＣ）对数据编码并且将已编码的数据作为第一模拟值存储在所述存储设备的相应的模拟存储单元中； 在存储已编码的数据之后，从所述存储设备的存储有已编码的数据的存储单元中读取相应的第二模 拟值，所述第二模拟值中的至少一些不同于相应的第一模拟值； 对存在于所述第二模拟值中的失真进行估计； 根据所估计的失真，针对所述第二模拟值计算纠错度量；以及 在ＥＣＣ解码过程中，使用所述纠错度量处理所述第二模拟值，从而重构所 述数据。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·沙尔维，N·萨莫，A·梅斯罗斯，D·索科洛夫，
申请(专利权)人：爱诺彼得技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：IL
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。