制备光活性层的方法以及包含这样的层的器件技术

本发明专利技术涉及制备光活性层的方法以及包含所述层的器件如太阳能电池。依据本发明专利技术，从包含至少一种金属化合物以及盐类和／或有机反应物的前体材料通过印刷或刮涂在衬底上制备光活性层，所述层暴露于低于３００℃的温度，其中，通过前体材料的热转变从非半导体层形成半导体光活性层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制备光活性层的方法以及包含这样的层的器件。
技术介绍
半导体金属硫化物、硒化物和碲化物，特别是CuInS2、 CuInSe2、 CdSe、 ZnS和ZnSe，是形成光活性层的重要材料，该光活性层对例如 光伏应用是有用的。从而，将半导体金属疏化物以薄层的形式用于无 机太阳能电池，所谓的ETA(超薄吸收体)电池。由半导体金属硫化 物组成的层与共扼半导体聚合物或由电活性有机分子组成的另外层的 结合导致了两层设计，该设计也适合于光活性元件的制备。为了制备这样的半导体层，可使用已知的方法如反应或非反应溅 射(阴极蒸发)、通过辉光放电的分离、常规热蒸发、化学和电化学 分离、喷涂方法(喷涂热解)、金属膜的硫化[1—"和用于制备外延层的 昂贵方法。对于大多数这些方法(除了电化学施加)，制备光活性层需要 相对高的温度，即高于300r的温度。通过在相应金属离子的存在下 热分解反应物进行这些半导体层的制备。类似的反应混合物用于喷涂-热解。Castro， Bailey等描述了在低温下制备铜铟硫化物络合物的方 法。但是，根据该方法，使用了相对昂贵的起始化合物。Harris等""也描述了基于在本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备光活性层的方法，其特征在于，从包含至少一种金属化合物和盐类和／或有机反应物的前体材料通过印刷或刮涂在衬底上形成非半导体层，并将所述非半导体层暴露于低于３００℃的温度，由此通过前体材料的热转变从非半导体层形成半导体光活性层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MS派伯尔，G翠米尔，F斯特尔泽，T拉瑟，AK普莱星，D梅斯尼尔，
申请(专利权)人：依索沃尔塔股份公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]