基台装置及液晶显示器的生产设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基台装置及液晶显示器的生产设备，基台装置包括基台，其中，所述基台中设置有用于传输带有正负电荷的气体的通道，所述通道连通所述基台的上表面和下表面。通过基台中设置的通道，将带有正负电荷的气体传输到基台的上表面，使得带有正负电荷的气体通过通道到达玻璃基板的下表面的各个部分，直接进行正负离子中和，消除了玻璃基板下表面各个部分上静电，解决了现有技术中存在的静电去除不均匀的问题，达到完全消除静电的目的。且带有正负电荷的气体无需透过玻璃基板，提高了静电消除效果与效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示的制造技术，尤其涉及一种基台装置及液晶显示器的生 产设备。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。TFT-IXD或半导体器件的生产过程中，玻璃基板(GLS基板)从投入到最后完成成 品出来，要经过很多的工艺和设备，并且每台设备都有用于放置玻璃基板的基台。每道工艺过程中，玻璃基板均放在基台上，玻璃基板下表面与基台密切接触，且经 过一系列运动过程，使得玻璃基板下表面和基台接触地方聚集有电荷，即玻璃基板上产生 静电。这样，每道工艺完成后，玻璃基板离开基台的过程中，静电在玻璃基板下表面最后 离开基台位置处容易发生静电集中，导致玻璃基板破裂。如图IA 图IF所示，设备在完成 对玻璃基板3的作业后，Lift Pin(举针1 把玻璃基板顶起，举针11保持不变，后在机械 手把玻璃基板3送出的过程，从如图1C、图ID所示的举针12开始动作到如图1E、图IF所 示的玻璃基板3全部被举起来，玻璃基板3上总有一个位置最后离开基台1表面，此时过程 中或环境中的静电容易聚集在该位置，导致玻璃基板3破裂。因此，需要去除玻璃基板3上 的静电。现有技术中，去除玻璃基板静电的方法是在生产设备中加装除静电装置，利用加 装的除静电装置来去除玻璃基板加工过程中产生的静电。现有技术存在的缺陷在于，除静电装置正对的地方，除静电能力强，其它地方可能 就弱，而玻璃基板破裂可能发生在其它地方，并且，除静电装置发出的中和离子要透过玻璃 基板到达玻璃基板的下表面，才能起到去除静电的作用，一定程度上影响了除静电效果。
技术实现思路
本技术提供一种基台装置及液晶显示器的生产设备，以实现更全面去除玻璃 基板上的静电的目的。本技术提供一种基台装置，包括基台，其中，所述基台中设置有用于传输带有 正负电荷的气体的通道，所述通道连通所述基台的上表面和下表面。如上所述的基台装置，其中，所述通道可为软管。所述通道可包括多个子通道与一个总通道，所述多个子通道的一端均位于所述基 台的上表面，另一端均与所述总通道的一端连通。所述多个子通道位于所述基台上表面的一端可均勻排布，也可在所述基台中间区 域的分布密度大于在周围区域的分布密度。如上所述的基台装置还包括用于存储带有正负电荷的气体的气缸，输出端与所述总通道的另一端连接。如上所述的基台装置还可包括用于产生正负电荷的离子风机，输出端与所述气缸的输入端相连。如上所述的基台装置还可包括用于提供惰性气体的气泵，输出端与所述气缸的输入端连接。所述气缸的输出端与所述总通道之间还可设置有用于控制所述气缸的输出端与 所述总通道连通的阀门。如上所述的基台装置还可包括控制单元，用于感应所述基台动作，并相应控制所 述阀门的开关，所述控制单元与所述阀门连接。所述控制单元可控制所述阀门在所述基台 上表面放置的基板离开的瞬间打开。本技术还提供液晶显示器的生产设备，包括基台装置，所述基台装置为上述 任一所述的基台装置。本技术提供的基台装置及液晶显示器的生产设备，通过基台中设置的通道， 将带有正负电荷的气体传输到基台的上表面，使得带有正负电荷的气体通过通道到达玻璃 基板的下表面的各个部分即均勻分布，直接进行正负离子中和，消除了玻璃基板下表面各 个部分上静电，解决了现有技术中存在的静电去除不均勻的问题，达到完全消除静电的目 的。且带有正负电荷的气体无需透过玻璃基板，提高了静电消除效果与效率。附图说明图1A、图IC及图IE为玻璃基板产生破裂的机理示意图；图IB为图IA的俯视图；图ID为图IC的俯视图；图IF为图IE的俯视图；图2为本技术第一实施例提供的基台装置的结构示意图；图3为本技术第二实施例提供的基台装置的结构示意图；图4为本技术第二实施例提供的基台装置中子通道的一端在基台上表面的 一种排布示意图；图5为本技术第二实施例提供的基台装置中子通道的一端在基台上表面的 另一种排布示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新 型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描 述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施 例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于 本技术保护的范围。以图2 图5为例对本技术进行说明。本技术第一实施例如图2所示，基台装置包括基台1，基台1中设置有多个通 道2。通道2用于传输带有正负电荷的气体，连通基台1的上表面和下表面。这样就可 以将带有正负电荷的气体传输到基台1的上表面，且由于玻璃基板的下表面紧贴基台1的 上表面，从而使得带有正负电荷的气体通过通道2到达玻璃基板的下表面的各个部分即均 勻分布，直接进行正负离子中和，消除了玻璃基板下表面各个部分上静电，解决了现有技术 中存在的静电去除不均勻的问题，达到完全消除静电的目的。且带有正负电荷的气体无需 透过玻璃基板，提高了静电消除效果与效率。本技术第二实施例如图3所示，基台装置不仅包括第一实施例中的基台1，还 包括子通道21、总通道22、阀门4、气缸5、气泵6、离子风机7及控制单元(图中未示出)。其中，子通道21有多个，各个子通道21的一端均位于基台1的上表面，另一端均 与总通道22的一端连接，总通道22的另一端位于基台1的下表面，各个子通道21均与总 通道22连通。如图4所示，子通道21位于基台1上表面的一端均勻排布，进一步提高了用于去 除玻璃基板上静电的气体在基台表面分布的均勻性，从而进一步提高了静电去除效果。子 通道21位于基台1上表面的一端，也可根据静电的聚集区域，确定其分布密度。如在静电 集中分布的区域，可以将子通道21的分布密度增大，以提高静电去除效果。如图5所示，子 通道21位于基台1上表面的一端在基台1中间区域的分布密度大于在周围区域的分布密 度。如图3所示，气缸5用于存储带有正负电荷的气体，可增加除静电效果。气缸5设 置在基台1的下方，其输出端与总通道22位于基台1的下表面的一端连接。气泵6用于提供惰性气体等性质稳定的气体，其输出端与气缸5的输入端连接，以 增加带有正负电荷的气体的稳定性。离子风机7用于产生正负电荷，其输出端与气缸5的输入端连接。阀门4设置于气缸5的输出端与总通道22之间，用于控制气缸5的输出端与总通 道22的连通。控制单元用于感应基台1的动作，当检测到基板的动作时，发出相应的控制信号 给阀门4，决定阀门4的开或者关。控制单元可设置在基台1的控制设备中，与阀门4连接。 例如，控制单元可用于控制阀门4在基台1上表面放置的基板离开的瞬间打开。使用时，气泵6为气缸5提供洁净的且具有一定压力的惰性气体N2，离子风机7产 生的大量的带有正负电荷的气流并输出给气缸5，这样气缸5中充满带有正负电荷的气体， 且由于气体为惰性气体，保证了正负电荷之间的分离。在玻璃基板离开基台1的瞬间，控制 单元将阀门4打开，使高压且带有正负电荷的气体通过总通道22、各个子通道21到达基台 1的上表面，各个子通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基台装置，包括基台，其特征在于，所述基台中设置有用于传输带有正负电荷的气体的通道，所述通道连通所述基台的上表面和下表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董云，秦伟，卢昱，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]