【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本 专利技术涉及诸如波长转换半导体发光装置的波长转换光源。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL) 和边发射激光器的半导体发光装置是当前可得的最高效的光源之一。在能够跨越可见光谱 工作的高亮度发光装置的制造中感兴趣的材料体系包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟 和氮的二元、三元和四元合金，也称为是III族氮化物材料。典型地，III族氮化物发光装 置是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技术在蓝宝石、碳 化硅、III族氮化物或其它合适衬底上外延生长不同成分和掺杂浓度的半导体层的叠层而 制作的。该叠层常包括形成在衬底之上的例如掺Si的一个或多个η型层、形成在该一个或 多个η型层之上的有源区内的一个或多个发光层以及形成在该有源区之上的例如掺Mg的 一个或多个P型层。电接触形成于η型和ρ型区上。由于当前可购得的III族氮化物装置发射的光通常位于可见光谱的较短波长端， III族氮化物装置产生的光能够容易地转换以产生具有较长波长的光。在本领域中公知，利 用已知为发光/荧光的过...
【技术保护点】
一种结构，包括：配置成发射第一光的光源；波长转换层，其中该波长转换层沉积在第一光的路径内，该波长转换层与该光源分隔开，且包括第一波长转换材料，该第一波长转换材料配置成吸收第一光并发射第二光；以及反射层，其中该波长转换层布置在该反射层和该光源之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：SJ比尔休曾，G哈伯斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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