【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体来说可涉及包含非易失性存储器的存储器装置。
技术介绍
存储器装置包含计算机或其它电子装置中的半导体集成电路。存在许多不同类型 的存储器，其包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、 同步动态随机存取存储器(SDRAM)、非易失性存储器及快闪存储器。 快闪存储器装置可利用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存 储器单元。快闪存储器装置被制成两种形式NOR快闪及NAND快闪。NAND快闪可以是单级 单元(SLC)或者多级单元(MLC)中的任一者。可将存储器装置进一步分类成易失性及非易 失性两个宽泛的领域。易失性存储器装置需要电力来维持数据，而非易失性存储器能够在 没有电源的情况下维持数据。非易失性存储器的实例是快闪存储器，其将信息存储在半导 体结构上而不需要电力来维持芯片中的信息。MLC非易失性存储器允许较高密度存储器，因 为其允许在每一存储器单元中存储两个或两个以上数据位。可将存储器装置组织成块，所 述块被划分成页，所述页具有较小的段，即扇区。每一扇区包括若干信息位，所述位的数目 由存储...
【技术保护点】
一种存储器，其包括：多个存储器单元，其用以存储一页及至少一个另一页的数据，所述数据页与待用于与所述数据页相关联的校正及检测错误中的至少一者的数据量相关联，所述数据量不同于待用于与所述另一数据页相关联的校正及检测错误中的至少一者的数据量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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