过流保护电路制造技术

技术编号:5355196 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种过流保护电路,该电路由三极管Q1、电阻R1、R2和可控硅Q2连接组成;所述电路的输入端I1与第一电阻R1一端及三极管Q1集电极连接,第一电阻R1另一端分别与三极管Q1基极及可控硅Q2阳极连接;三极管Q1发射极分别与第二电阻R2一端和可控硅Q2控制极连接;第二电阻R2另一端与可控硅Q2阴极连接,且接电流的输出端I2。其结构简单,设计合理,性能稳定可靠,使用能耗低,不易干扰其它电路或被其它电路干扰,实用效果显著,能应用于各种电流电路中起到保护作用。本发明专利技术制造成本低,抗干扰能力强,性能稳定可靠,应用范围广泛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护电路,特别涉及一种过流保护电路
技术介绍
目前,在高速电子信息发展中,电路设计的稳定性越来越引起人们的高度重视,尤 其是电流保护功能,更能确保电路安全可靠的运行。但是传统的一些电流电路中并没有投 入过流保护电路,以至于当电路电流过大,或者接线错误时,瞬间的大电流会烧毁整块电 路,导致电路工作异常,如何改善电流电路的可靠性和稳定性很大程度上取决于电路的过 流保护功能。因此,提供一种结构简单、设计合理、应用简便、效果显著的过流保护电路,是该领 域人员应该着手解决的问题之一。
技术实现思路
本电路的设计目的在于克服上述的不足之处,提供一种简单合理、性能安全可靠、 适用性很强的过流保护电路。为实现上述目的本设计所采用的技术方案是一种过流保护电路,其特征在于该 电路由三极管Q1、电阻Rl、R2和可控硅Q2连接组成;所述电路的输入端Il与第一电阻Rl 一端及三极管Ql集电极连接,第一电阻Rl另一端分别与三极管Ql基极及可控硅Q2阳极 连接;三极管Ql发射极分别与第二电阻R2—端和可控硅Q2控制极连接;第二电阻R2另一 端与可控硅Q2阴极连接,且接电流的输出端12。本专利技术的有益效果是其结构简单,设计合理,性能稳定可靠,使用能耗低,不易干 扰其它电路或被其它电路干扰,实用效果显著,能应用于各种电流电路中起到保护作用。本 专利技术制造成本低,抗干扰能力强,性能稳定可靠,应用范围广泛。附图说明图1是专利技术电路原理图。 具体实施例方式以下结合附图和较佳的实施例,对依据本设计提供的具体实施方式、特征详述如 下参见图1,一种过流保护电路,该电路由三极管Q1、电阻Rl、R2和可控硅Q2连接组成; 所述电路的输入端Il与第一电阻Rl —端及三极管Ql集电极连接,第一电阻Rl另一端分 别与三极管Ql基极及可控硅Q2阳极连接;三极管Ql发射极分别与第二电阻R2 —端和可 控硅Q2控制极连接;第二电阻R2另一端与可控硅Q2阴极连接,且接电流的输出端12。工作原理本专利技术设有一个输入端II、一个输出端12与过流保护电路连接组成。输入电流流经三极管Q1,通过电阻R2流出,当被保护的电路电流过大时,电阻R2上的压降增大,此时产生的 压降控制可控硅Q2导通,可控硅Q2导通的瞬间使三极管Ql的基极电压降低,此刻三极管 Ql截止,切断回路中的大电流信号,起到保护电路和电器设备的重要作用。 上述参照实例对应用于过流保护电路进行详细的描述,是说明性的而不是限定性 的,因此在不脱离本设计总体构思下的变化和修改,应属于本设计的保护范围之内。权利要求一种过流保护电路,其特征在于该电路由三极管Q1、电阻R1、R2和可控硅Q2连接组成;所述电路的输入端I1与第一电阻R1一端及三极管Q1集电极连接,第一电阻R1另一端分别与三极管Q1基极及可控硅Q2阳极连接;三极管Q1发射极分别与第二电阻R2一端和可控硅Q2控制极连接;第二电阻R2另一端与可控硅Q2阴极连接,且接电流的输出端I2。全文摘要本专利技术涉及一种过流保护电路,该电路由三极管Q1、电阻R1、R2和可控硅Q2连接组成;所述电路的输入端I1与第一电阻R1一端及三极管Q1集电极连接,第一电阻R1另一端分别与三极管Q1基极及可控硅Q2阳极连接;三极管Q1发射极分别与第二电阻R2一端和可控硅Q2控制极连接;第二电阻R2另一端与可控硅Q2阴极连接,且接电流的输出端I2。其结构简单,设计合理,性能稳定可靠,使用能耗低,不易干扰其它电路或被其它电路干扰,实用效果显著,能应用于各种电流电路中起到保护作用。本专利技术制造成本低,抗干扰能力强,性能稳定可靠,应用范围广泛。文档编号H02H3/08GK101980408SQ20101057249公开日2011年2月23日 申请日期2010年12月3日 优先权日2010年12月3日专利技术者张伟华, 张耀军, 杨勇, 王少军, 王永强, 祁虎威, 韩永清 申请人:天津诺尔哈顿电器制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流保护电路,其特征在于该电路由三极管Q1、电阻R1、R2和可控硅Q2连接组成;所述电路的输入端I1与第一电阻R1一端及三极管Q1集电极连接,第一电阻R1另一端分别与三极管Q1基极及可控硅Q2阳极连接;三极管Q1发射极分别与第二电阻R2一端和可控硅Q2控制极连接;第二电阻R2另一端与可控硅Q2阴极连接,且接电流的输出端I2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨勇韩永清王少军张耀军张伟华祁虎威王永强
申请(专利权)人:天津诺尔哈顿电器制造有限公司
类型:发明
国别省市:12[]

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