一种镁离子荧光传感器及其制备方法技术

技术编号:5340252 阅读:240 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了属于荧光传感器制备技术领域的一种有机-无机复合材料作为镁离子荧光传感器及其制备方法。本发明专利技术利用水滑石层间阴离子具有可交换性,将1-萘胺-3,6,8-三磺酸通过离子交换法插入到水滑石层间,然后通过电化学沉积的方法制备成膜,最后考察薄膜传感器对镁离子的荧光响应。制备的镁离子荧光传感器,其中水滑石无毒、稳定、有良好的生物相溶性;与聚合物载体不同,水滑石的无机层板不易老化,可以长久的保存,从而保持荧光分子的光学稳定性,并显著提高其热稳定性;该传感器对镁离子有很好的选择性并在一定范围内呈现出线性关系,且具有可重复操作性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于荧光传感器制备
,特别是提供了一种有机-无机复合材料作 为镁离子荧光传感器及其制备方法
技术介绍
荧光传感器以灵敏度高,可采集信号丰富及使用方便等优点倍受人们关注,近年 来得到了迅速发展。荧光传感器主要分为两类,即在溶液中使用的均相荧光传感器和易于 重复使用且能进行气相传感的薄膜荧光传感器。近年来薄膜荧光传感器的研究受到人们的 特别关注。借用均相荧光化学传感器原理,设计制备薄膜荧光传感器是将荧光传感器推向实 际应用或扩大应用的有效途径。相对于均相荧光传感器,薄膜荧光传感器具有可以反复使 用,不污染待测体系,无试剂消耗,易于器件化等优点。因此,薄膜荧光传感器的研究已构成 当今单分子层化学研究的重要内容,也成为其中最活跃的一个分支。然而,到目前为止,薄 膜荧光传感器的研究还十分薄弱,多数研究尚处于研究阶段。与薄膜荧光传感器设计制备 密切相关的传感元素在基质表面的分布、存在状态及其在传感过程中的状态变化等界面化 学问题研究因表征困难而难以深入进行,相关的理论模拟也十分初步。与此同时,真正器件 化的,可以付诸实际应用的薄膜荧光传感器为数不多。因此,继续坚持并不断深化与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镁离子荧光传感器的制备方法,其特征在于,其具体制备步骤为:a.制备水滑石前体,所述水滑石前体的化学式为Zn↓[1-x]Al↓[x](OH)↓[2](NO↓[3])↓[x].mH↓[2]O,其中0.2≤x≤0.33,m为结晶水数量,取值范围为0.5-9;b.配制浓度为5-30g/L的1-萘胺-3,6,8-三磺酸溶液,用氢氧化钠调节溶液pH值为6-7后加入0.1-1g步骤a制备的水滑石前体,在N↓[2]保护下搅拌,25-30℃下反应24-60小时,产物用去CO↓[2]水洗涤、离心,得到1-萘胺-3,6,8-三磺酸插层水滑石;c.取0.5-2g步骤b制备的1-萘胺-3,6,8-三磺酸插层水滑石溶...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:靳兰郭志洁何丹丹卫敏
申请(专利权)人:北京化工大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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