一种单座苣苔的组织培养繁殖方法技术

本发明专利技术公开了一种单座苣苔的组织培养繁殖方法。它利用植物细胞的全能性和植物组织培养技术，将单座苣苔的叶片作为外植体，经消毒后，在合适的培养基和培养条件下培养，使其能够脱分化并分化形成不定芽，再经继代增殖、生根培养获得试管苗，试管苗经移栽壮苗炼苗后获得栽培苗。本发明专利技术从外植体的诱导到获得栽培苗只需要１４０天就可以获得栽培苗，大大加快单座苣苔的繁殖速度，通过继代增殖，每个月可以增殖４．６倍左右，因此可以在短时期内获得大量的试管苗，试管苗经移栽后，其成活率高达９０％以上，从而能够使单座苣苔这一国家一级濒危植物得以保存和发展，为今后更进一步利用该物种奠定良好的基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于植物组织培养领域，具体涉及。
技术介绍
单座苣苔(Metabriggsia ovalifolia W. Τ. Wang)属苦苣苔科(Gesneriaceae)单 座苣苔属，多年生小型草本植物，茎高20 40厘米，被褐色长柔毛。目前分布于中国广西 那坡、南丹，生于海拔1100米的石灰山山坡林下。由于该物种生存环境要求特殊、地理分布 狭小、种群数量很少，已被国家确定为中国第一批重点(一级)保护的珍稀濒危保护植物。利用植物外植体在固体培养基上培养，获得愈伤组织或完整植株，即为植物组织 培养，也称离体培养或外植体培养。由于不同类型的植物在离体培养所需要的培养条件及 方法等方面存在很大的不同，根据具体的植物，调整培养基类型、培养光照及温度、不同培 养阶段培养基生长调节剂配比，分别诱导不定芽的形成，在此基础上建立有效的芽繁殖体 系和植株再生体系。目前运用植物组织培养技术开展植物的保护和繁殖在很多植物种上已 获得成功。但是，到目前为止，单座苣苔的组织培养方面的研究，国内外均未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，利用该方法能在短期内 获得大量的单座苣苔栽培苗，因此能有效的保护和繁殖该物种，使之解除濒危状态，为今后 更进一步保护和利用该物种奠定良好的基础。本专利技术利用植物细胞的全能性和植物组织培养技术，将单座苣苔的叶片作为外植 体，经灭菌消毒后，在合适的培养基和培养条件下培养，使其能够脱分化并分化形成不定 芽，再经继代增殖、生根培养获得试管苗，试管苗经移栽壮苗炼苗后获得栽培苗，从而实现 了本专利技术的目的。本专利技术的单座苣苔的组织培养繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤(1)不定芽的诱导选择单座苣苔的叶片作为外植体，将叶片灭菌消毒后切块，接 种于诱导培养基上培养，培养条件为22 28°C，黑暗培养或光强为20 μ mol m_2 s—1以下、光 照14小时/天的条件下培养，直至诱导出不定芽，然后转到光强为50 80 μ mol m_2 f、 光照14小时/天的条件下继续培养10 20天；(2)继代增殖将上一步骤获得的不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖， 培养条件为22 28°C，光强为50-80 μ mol m_2 光照14小时/天；(3)生根培养将增殖的不定芽转入生根培养基中培养，培养条件为22 28°C，光 强为50-80 μ mol m_2 s、光照14小时/天，使其生根，长成试管苗；(4)试管苗的移栽将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为1 1或火灰和细沙 按体积比为1 1的基质中，置于湿润、遮荫的环境下培养，浇水，施肥以满足试管苗生长所 需的水分和营养需要，经常规培养后获得栽培苗；所述的诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N' -1，2，3-噻二唑-5-脲 (TDZ) 0. 2 2. Omg或6-苄氨基嘌呤(BAP) 0. 2 2. Omg,其余成份为MS ；所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0. 2 2. Omg, α -萘乙酸 (NAA) 0. 1 0. 5 mg，其余成份为MS ；所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭Ig和吲哚-3- 丁酸(IBA)O. 05 0. 2mg或α -萘乙酸(NAA)O. 05 0. 2mg，其余成份为1/2MS。本专利技术的试管苗移植后注意浇水、施肥。每星期施用1%。的复合肥(N P K为 1:1: 1) 一次，以满足试管苗生长所需的水分和营养需要，并注意保温，最好保持在20 250C，移栽成活率可达到90 %以上。所述的将叶片灭菌消毒后切块优选是将叶片用自来水清洗干净，先以体积分数 为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟，无菌水洗脱2次，之后在质量体积百分比浓度为 0. 升汞溶液中浸泡8分钟，并以无菌水洗涤3次，最后将叶片切成0. 6cm2大小。所述的MS为国际通用的培养基，其成分和配制方法参看谭文澄、戴策刚主编，《观 赏植物组织培养技术》，北京中国林业出版社，1991，所述的1/2 MS是将MS中的大量元素 和微量元素减半，其它成分不变而形成的培养基。由于单座苣苔的试管苗很小，一般不超过2cm，在移植到室外后容易失水或养分缺 乏而死亡，因此本专利技术人将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为1 1或火灰和细沙按体 积比的基质中，置于湿润、遮荫的环境下培养，浇水，施肥以满足试管苗生长所需的水分和 营养需要，保证使试管苗有较高的成活率。外植体自接种到诱导培养基中大概40天就可以诱导出不定芽，再在较强的光照 下培养10 20天，转入继代增殖，一般一个月就可以继代一次，增殖的不定芽在生根培养 基一般一个月就可以生根形成试管苗，试管苗移栽到基质中一般一个月后试管苗长到4 5cm高，获得栽培苗，就可以将其移栽到以火灰为基质的盆中培养了。本专利技术的有益效果如下本专利技术从外植体的诱导到获得栽培苗只需要140天就可以获得栽培苗，大大加快 单座苣苔的繁殖速度，通过继代增殖，每个月可以增殖4. 6倍左右，因此可以在短时期内获 得大量的试管苗，试管苗经移栽后，其成活率高达90%以上，从而能够使单座苣苔这一国家 一级濒危植物得以保存和发展，为今后更进一步利用该物种奠定良好的基础。具体实施例方式以下是对本专利技术的进一步说明，而不是对本专利技术的限制。实施例1 以从广西河池采集的单座苣苔植株的叶片作为外植体，将叶片外植体用自来水清 洗干净后，先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟，无菌水洗脱2次，之后在 质量体积百分比浓度为0. 升汞溶液中浸泡8分钟，并以无菌水洗涤3次，最后将叶片切 成0. 6cm2大小，接种于诱导培养基上培养，培养条件为22 28°C，黑暗培养，40天后诱导出 不定芽，然后转到光强为50 μ mol πΓ2 s—1、光照14小时/天的条件下继续培养20天；然后 将此不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖，培养条件为22 28。C，光强为50 μ mol πΓ2 s—1，光照14小时/天，一个月为一个继代周期，每个继代周期增殖4. 6倍。将增殖的不定芽转入生根培养基中培养，培养条件为22 28°C，光强为50 μ mol m_2 s—1，光照14小时/ 天，使其生根，一个月后长成试管苗。将该试管苗移植到含有蛭石和沙石按体积比为1 1 的基质的沙盆中，置于湿润、遮荫的环境下培养，室外温度介于20 25°C，经浇水，施肥，每 星期施用1%。的复合肥(N P K为1 1 1) 一次，以满足试管苗生长所需的水分和营 养需要，经常规培养，一个月后试管苗长到4 5cm高，成活率高达90 %，此时将此试管苗作 为栽培苗栽到以火灰作为基质的盆中培养。所述的诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N' -1，2，3-噻二唑-5-脲(TDZ) 0. 2mg,其余成份为MS ；所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0. 2mg、 α -萘乙酸(NAA)O. 5mg，其余成份为MS ；所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭Ig 和吲哚-3-丁酸(IBA)O. 05mg，其余成份为1/2MS。实施例2 以从广西河池采集的单座苣苔植株的叶片作为外植体，将叶片外植体用自来水清 洗干净后，先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟，无菌水本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单座苣苔（Ｍｅｔａｂｒｉｇｇｓｉａ　ｏｖａｌｉｆｏｌｉａ　Ｗ．Ｔ．Ｗａｎｇ）的组织培养繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：（１）不定芽的诱导：选择单座苣苔的叶片作为外植体，将叶片灭菌消毒后切块，接种于诱导培养基上培养，培养条件为２２～２８℃，黑暗培养或光强为２０μｍｏｌ　ｍ↑［－２］　ｓ↑［－１］以下、光照１４小时／天的条件下培养，直至诱导出不定芽，然后转到光强为５０～８０μｍｏｌ　ｍ－２ｓ－１、光照１４小时／天的条件下继续培养１０～２０天；（２）继代增殖：将上一步骤获得的不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖，培养条件为２２～２８℃，光强为５０－８０μｍｏｌ　ｍ↑［－２］　ｓ↑［－１］，光照１４小时／天；（３）生根培养：将增殖的不定芽转入生根培养基中培养，培养条件为２２～２８℃，光强为５０－８０μｍｏｌｍ↑［－２］　ｓ↑［－１］，光照１４小时／天，使其生根，长成试管苗；（４）试管苗的移栽：将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为１∶１或火灰和细沙按体积比为１∶１的基质中，置于湿润、遮荫的环境下培养，浇水，施肥以满足试管苗生长所需的水分和营养需要，经常规培养后获得栽培苗；所述的诱导培养基为每升培养基中含有Ｎ－苯基－Ｎ′－１，２，３－噻二唑－５－脲０．２～２．０ｍｇ或６－苄氨基嘌呤０．２～２．０ｍｇ，其余成份为ＭＳ；所述的繁殖培养基为每升培养基中含有６－苄氨基嘌呤０．２～２．０ｍｇ、α－萘乙酸０．１～０．５ｍｇ，其余成份为ＭＳ；所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭１ｇ和吲哚－３－丁酸０．０５～０．２ｍｇ或α－萘乙酸０．０５～０．２ｍｇ，其余成份为１／２ＭＳ。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马国华，张新华，赵杰堂，杨兴玉，吕金凤，胡玉姬，
申请(专利权)人：中国科学院华南植物园，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]