本实用新型专利技术涉及一种具有ＩＧＢＴ保护电路的电磁炉控制器包括ＩＧＢＴ，和连接于ＩＧＢＴ输入端的ＩＧＢＴ驱动电路和ＩＧＢＴ保护电路。ＩＧＢＴ保护电路连接于ＩＧＢＴ驱动电路的输入端，ＩＧＢＴ保护电路在电磁炉上电时，控制ＩＧＢＴ驱动电路向ＩＧＢＴ栅极所输入的电压为低电平。本实用新型专利技术还提供一种电磁炉。本实用新型专利技术的具有ＩＧＢＴ保护电路的电磁炉控制器在电磁炉刚上电，ＶＣＣ还未达到＋１８Ｖ时，确保ＩＧＢＴ的栅极驱动电压为低电平，从而保证ＩＧＢＴ在刚上电和快速插拔电时不会损坏。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电磁炉，尤其涉及具有绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor, IGBT)保护电路的电磁炉控制器及使用该电磁炉控制器的电磁炉。
技术介绍
电磁炉在刚上电时，由于绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor, IGBT)特殊的工作性质，如果在IGBT的驱动极栅极产生一定宽度和幅 度的脉冲信号足以使IGBT导通，此时IGBT可能处于放大状态或饱和状态。由于IGBT处于 放大状态时集电极的电压很高，在IGBT流过一定电流时功耗非常大，而IGBT处于放大状态 比饱和状态更容易损坏IGBT。因此，当IGBT导通不受控制，就有可能在刚上电时造成IGBT 瞬间流过较长时间过电流，使IGBT损坏。现有技术对电磁炉的IGBT上电保护有一定保护措 施，但由于电路设计不够合理，保护效果并不理想，常有出现电磁炉在刚上电时就损坏IGBT 的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有IGBT保护电路的电磁炉控制器及电磁炉， 以解决现有电磁炉在刚上电时损坏IGBT的问题。本技术提供一种具有IGBT保护电路的电磁炉控制器包括IGBT，和连接于 IGBT输入端的IGBT驱动电路和IGBT保护电路。IGBT保护电路连接于IGBT驱动电路的输 入端，IGBT保护电路在电磁炉上电时，控制IGBT驱动电路向IGBT栅极所输入的电压为低 电平。优选的，上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括同步振荡信号输出电路， 连接于IGBT保护电路的输出端和IGBT驱动电路的输入端。优选的，上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括MCU连接于同步振荡信号 输出电路和IGBT保护电路的输出端，以及连接于IGBT驱动电路的输入端。优选的，上述IGBT保护电路包括分压电阻R2，以及与分压电阻R2串联的分压电阻 R3。优选的，上述IGBT保护电路还包括与分压电阻R2并联的二极管D1，以及与分压电 阻R3并联的电容Cl。优选的，上述IGBT保护电路还包括上拉电阻R1、三极管VT2和稳压二极管Z1，稳 压二极管Zl的一端连接于分压电阻R2和R3之间，另一端连接于三极管VT2的基极；三极 管VT2的发射极接地，集电极连接于上拉电阻R1。优选的，上述IGBT保护电路还包括三极管VT2，三极管VTl的基极连接于三极管 VT2的集电极，发射极接地，集电极连接于IGBT驱动电路的输入端。 本技术还提供一种电磁炉，包括上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器。 本技术的具有IGBT保护电路的电磁炉控制器在电磁炉刚上电，VCC还未达到+18V时，控制IGBT的栅极驱动电压为低电平，从而保证IGBT在刚上电和快速插拔电时不会 损坏。附图说明图1为本技术具有IGBT保护电路的电磁炉控制器的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术技术方案作进一步的详细描述，以使本 领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用 新型的限定。图1为本技术具有IGBT保护电路的电磁炉控制器的结构示意图。本技术具有IGBT保护电路的电磁炉控制器包括绝缘栅双极型晶体管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) 104，和连接于 IGBT104 输入端的 IGBT 驱动 电路103和IGBT保护电路101。IGBT保护电路101连接于IGBT驱动电路103的输入端， IGBT保护电路101在电磁炉上电时，控制IGBT驱动电路103向IGBT104栅极所输入的电压 为低电平。进一步的，本技术具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括同步振荡信号 输出电路102，连接于IGBT保护电路101的输出端和IGBT驱动电路103的输入端。进一步的，本技术具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括中央控制器 (MCU) 105，连接于同步振荡信号输出电路102和IGBT保护电路101的输出端，以及连接于 IGBT驱动电路103的输入端。进一步的，上述IGBT保护电路包括分压电阻R2、分压电阻R3、二极管Dl、电容Cl、 上拉电阻R1、三极管VT2、稳压二极管Zl和三极管VT2。其中，分压电阻R3与分压电阻R2 串联。二极管Dl与分压电阻R2并联，电容Cl与分压电阻R3并联。稳压二极管Zl的一端 连接于分压电阻R2和R3之间，另一端连接于三极管VT2的基极；三极管VT2的发射极接地， 集电极连接于上拉电阻R1。三极管VT2，三极管VTl的基极连接于三极管VT2的集电极，发 射极接地，集电极连接于IGBT驱动电路的输入端。本技术具有IGBT保护电路的电磁炉控制器的工作原理如下，当电磁炉上电 时，VCC电压从OV开始上升，VCC电压向IGBT驱动电路103所输入的电压未达到+18V。VCC 电压经分压电阻R2和分压电阻R3分压之后，向电容Cl充电，当分压电阻R3和电容Cl两 端的电压Vl小于稳压二极管Zl的导通电压时，三极管VT2截止，VCC电压经上拉电阻Rl 使三极管VTl导通，三极管VTl的集电极电压V2接近OV为低电平，而且三极管VTl的集电 极连接到同步振荡信号输出电路与IGBT驱动电路103的输入端，当V2为低电平时，该低电 平信号可以稳定的控制IGBT驱动电路103的输出电压V3为低电平，从而使IGBT104的栅 极电压为低电平，IGBT104处于完全截止状态，从而有效地保护IGBT104不会在刚上电时损 坏。当VCC电压不断上升时，Vl将会大于稳压二极管Zl的导通电压加上三极管VT2 导通时基极的管压降(0. 7V)，此时三极管VT2导通，三极管VTl截止，三极管VTl的集电极 电压由同步振荡信号输出电路102所输出的信号控制，V2不再由三极管VTl控制，此时由于VCC电压已经超过+5V，达到了 MCU105的工作电压，电磁炉各部分电路的工作状态将由 MCU105控制，可以稳定的控制V2为低电平电压，从而使IGBT驱动电路103所输出的电压为 低电平，确保IGBT104的栅极为低电平，IGBT104处于截止状态，从而可以保证IGBT不会在 刚上电时造成损坏。当电磁炉断电时，电容Cl的电压可以通过分压电阻R3放电，不会使Vl长时间处 于较高电压值，从而可以保证下一次上电时使三极管VT2处于截止状态，三极管VTl处于导 通状态，所以在电磁炉快速插拔电时使IGBT104都不会损坏。此外，本技术还提供一种包括上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器，本实 施例中所提供的电磁炉，除了电磁炉控制器与现有的电磁炉不同之外，其它部分的结构与 功能均相同。综上所述，本技术的具有IGBT保护电路的电磁炉控制器，在电磁炉刚上电， VCC还未达到+18V时，确保IGBT104的栅极驱动电压为低电平，从而保证IGBT104在刚上电 和快速插拔电时不会损坏。以上仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是 利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在 其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。权利要求一种具有绝缘本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有绝缘栅双极型晶体管ＩＧＢＴ保护电路的电磁炉控制器，包括ＩＧＢＴ，和连接于所述ＩＧＢＴ输入端的ＩＧＢＴ驱动电路，其特征在于，还包括ＩＧＢＴ保护电路，连接于所述ＩＧＢＴ驱动电路的输入端，所述ＩＧＢＴ保护电路在电磁炉上电时，控制ＩＧＢＴ驱动电路向ＩＧＢＴ栅极所输入的电压为低电平。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：伍炎军，冯世荣，刘建伟，李书锋，
申请(专利权)人：深圳和而泰智能控制股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94
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