键合铜线及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种键合铜线及其制备方法，本发明专利技术的键合铜线的各成分的质量百分比为锂０．０００３％－０．００３％，钙０．０００２％－０．００２％，铝０．０００２％－０．００１％，铈和／或钇０．０００５％－０．００５％，不可避免的其它杂质元素总量０．０００１％－０．００１％，余量为铜。本发明专利技术所述的键合铜线的制备方法包括制作中间合金，制作合金铸锭、均匀化退火、热挤压、去应力退火、拉制、最终退火、复绕分装和最终的保护性包装，在拉制过程中根据实际需要还可以进行中间去应力退火。这种键合铜线在保持较好的导电散热性的同时具有更好抗氧化性，在键合铜线的制备过程中增加均匀化退火并根据需要采用中间去应力退火的工艺使得制备出来的键合铜线力学性能更加优良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装的引线材料及其生产工艺，具体来说是一种键合铜线 及其制备方法。
技术介绍
作为半导体及集成电路封装引线的键合材料，其特殊的应用环境对其导热散热 性、表面抗氧化性、抗拉性能、焊接性能等都提出了较高的要求。中国专利文献CN1949493A公布了一种键合铜线，该文献中公布的键合铜线的 材料配方为钙0. 0005 % -0. 001 %，铈或钛0. 0003-0. 0007 %，余量为铜，其含量不低于 99.9996%。采用该文献公布的铜线作为键合材料，一方面降低了键合线的价格，另一方面 满足了对高的导电性能及键合线强度的要求，但是该方案中用来提高键合线表面抗氧化性 的金属元素铈或者钛的含量较低，因此抗氧化性能差强人意。中国专利文献CN1949493A同时公布了 一种键合铜线的制备方法，其主要的工艺 流程为提供铜材料，电解提纯5N铜，金属单晶水平连铸得到6N铜，制备中间合金，金属单 晶水平连铸制得键合铜丝坯料，拉伸，退火，分卷，真空包装。这一工艺过程主要存在以下 几点缺陷第一、在这一工艺过程中，采用水平连铸制得键合铜丝的坯料，水平连铸的过程 非常复杂，不易控制；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种键合铜线，由质量百分含量的以下各组分组成：锂０．０００３％－０．００３％，钙０．０００２％－０．００２％，铝０．０００２％－０．００１％，铈和／或钇０．０００５％－０．００５％，不可避免的其它杂质元素总量０．０００１％－０．００１％，余量为铜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁瑞光，蔡元利，吴国防，魏伟，陈春笋，蔡元华，
申请(专利权)人：蔡元华，
类型：发明
国别省市：11[]